Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества

Барановский, Максим Владимирович. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Барановский Максим Владимирович; [Место защиты: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)].- Санкт-Петербург, 2013.- 146 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/696