Введение
1. Перспективы использования узкозонных полупроводников для создания альтернативных источников энергии.
1.1. Узкозонные фотоэлементы: особенности применения в фотоэнергетике 9
1.2. Термофотоэлектрические преобразователи: принцип действия и возможности эффективного использования 14
1.3. Обоснование выбора полупроводниковых материалов для изготовления термофотоэлектрических преобразователей 24
1.4. Формулирование задач диссертационной работы 33
2. Фотоэлектрические преобразователи на основе германия.
2.1. Особенности легирования германия в квазизамкнутом объеме 35
2.2. Выбор легирующей примеси для формирования р-я-перехода в германии 42
2.3. Диффузионное легирование германия и характеристики получаемых фотоэлементов 47
2.4. Разработка термофотоэлектрических элементов на основе Ge с тыльным зеркалом 56
3. Фотоэлектрические преобразователи на основе p-gaas/p-ge/n-ge гетероструктуры.
3.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе Ge с широкозонным окном GaAs, выращенным методом жидкофазной эпитаксии.
3.1.1. Получение гетероструктур GaAs/Ge комбинацией методов быстрого охлаждения раствора-расплава и газовой диффузии
3.1.2. Параметры Ge фотоэлементов с GaAs окном, выращенным методом жидкофазной эпитаксии 69
3.2. Фотоэлектрические преобразователи на основе Ge с широкозонным окном GaAs, выращенным методом газофазной эпитаксии.
3.2.1. Поиск оптимального технологического способа изготовления гетероструктур GaAs/Ge с помощью методов диффузии и газофазной эпитаксии
3.2.2. Характеристики Ge фотоэлементов с GaAs окном, выращенным методом газофазной эпитаксии 77
3.3. Сравнительный анализ основных параметров Ge фотоэлементов, полученных различными способами 80
4. Фотоэлектрические преобразователи на основе узкозонных А3В5 полупроводников (GaSb, InAs).
4.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе GaSb
4.1.1. Исследование свойств слиткового материала GaSb 86
4.1.2. Формирование и исследование омических контактов к GaSb 91
4.1.3. Исследование влияния глубины /?-и-перехода и формы диффузионного профиля на выходные характеристики GaSb фотоэлементов 95
4.1.4. Разработка термофотоэлектрических GaSb элементов с тыльным зеркалом 101
4.1.5. Характеристики разработанных фотопреобразователей на основе GaSb 105
4.2. Термофотоэлектрические преобразователи на основе InAs.
4.2.1. Термофотоэлектрические элементы на основе InAs 107
4.2.2. Термофотоэлектрические элементы на основе InAsSbP 110
Заключение 116
