Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии

Николичев Дмитрий Евгеньевич. Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Николичев Дмитрий Евгеньевич; [Место защиты: Нижегор. гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского].- Нижний Новгород, 2009.- 142 с.: ил. РГБ ОД, 61 09-1/594
Автор
Николичев Дмитрий Евгеньевич
Год
2009
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1. Наноразмерные гетероструктуры. Рост, морфология, свойства 12
1.1. Самоорганизованные нанокластеры GeSi, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии 18
1.1.1. Технология формирования гетероструктур 22
1.1.2. Сегрегация и интердиффузия в GeSi гетероструктурах 24
1.1.3. Гетероструктуры с однородными массивами GeSi кластеров 24
1.1.4. Зонная структура GeSi наноостровков 26
1.2. Диагностика состава полупроводниковых наноструктур 31
1.2.1. Просвечивающая электронная микроскопия 31
1.2.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия с нанозондом (нано-ЭСХА) 39
1.2.3. Статическая вторично-ионная масс-спектроскопия 41
1.2.4. Ближиепольная сканирующая оптическая микроскопия 42
1.3. Методы исследования структурных, оптических и электрофизических свойств гетероструктур с нанокластерами GeSi 48
1.3.1. Рентгеновская дифракция и спектроскопия комбинационного рассеяния 48
1.3.2. Спектроскопия фотолюминесценции и фотоЭДС 49
1.4. Выводы 50
2. Методика эксперимента 52
2.1. Основы метода сканирующей оже-микроскопии 52
2.1.1. Метод электронной оже-микроскопии 52
2.1.2. Метод растровой электронной микроскопии 58
2.1.3. Локальный элементный анализ методом сканирующей оже-микроскопии 63
2.2. Аппаратура для измерения 66
2.3. Выводы 70
3. Развитие методики сканирующей оже-микроскопии в применении к исследованию наноструктур GeSi 71
3.1. Разрешение по энергии 71
3.2. Пространственное разрешение 73
3.3. Количественный анализ 90
3.4. Послойный анализ структур с наноостровками 98
3.4.1. Юстировка ионного, электронного зондов и фокуса анализатора 100
3.4.2. Определение параметров ионного травления 104
3.4.3. Изменение морфологии поверхности при ионном травлении 107
3.5. Выводы 109
4. Состав самоорганизованных нанокластеров GeSi 110
4.1. Параметры исследуемых структур 110
4.1.1. Наноструктуры GeSi/Si, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии 111
4.1.2. Наноструктуры GeSi/Si, полученные методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии с газофазным источником германия 114
4.2. Состав структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии 117
4.3. Состав структур, выращенных методом сублимационной молекулярно лучевой эпитаксией с газофазным источником германия 124
4.4. Подтверждение полученных результатов 130
4.5. Выводы 133
Общие выводы 135

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Агаларов Агалар Шахэмирович
Количество страниц
Год
2008
99 000 UZS
Автор
Сабитов Олег Юрьевич
Количество страниц
Год
2009
99 000 UZS
Автор
Аржанникова София Андреевна
Количество страниц
Год
2008
99 000 UZS
Автор
Солонин Александр Павлович
Количество страниц
Год
2009
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3