Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4

Абдуллаев Абдулла Алиевич. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4 : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 Махачкала, 2006 149 с. РГБ ОД, 61:07-1/197
Автор
Абдуллаев Абдулла Алиевич
Год
2006
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВАІ 18
Современные представления о механизмах фотопроводимости и фотоферромагнитного эффекта в хромовом халькогенидном шпинеле CdCr2Se4 18
1.1. Крисгаллическая структура, электрические и магнитные свойства 18
1.2. Оптические и фотоэлектрические свойства 28
1.3. Фото ферромагнитный эффект в CdCr?Se4 36
1.4. Основные представления об электронной структуре CdCi^Se^ 42
1.5. Выводы к первой главе 47
ГЛАВА II 50
Методики проведения экспериментов и приготовление образцов 50
2.1. Введение 50
2.2. Методы измерения фотопроводимости 52
2.3. Методы исследования кинетики ФП 54
2.3.1. Методика стробоскопической регистрации кинетики фототока с пользованием параллельной стробоскопической системы 54
2.3.2. Методика исследования кинетики токов амбиполяриой диффузии и дрейфа неравновесных носителей 56
2.4. Методика измерения фотопроводимости в переменных электрических полях 58
2.5. Методики измерения фотоферроомагнитного эффекта 60
2.6. Подготовка образцов для проведения измерений 62
2.7. Малогабаритный азотно-гелиевый прокачной оптический криостат...63
Механизмы токопереноса в магнитном полупроводнике CclCr2Se4 66
3.1. Введение 66
3.2. Фотопроводимость и перенос носителей заряда в нелегированном CdCr2Se4 67
3.3. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 75
3.4. Фотоэлектрические свойства HgCr2Se4 85
3.5. Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей BCdCr2Se4 89
3.6. Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках 98
3.7. Выводвх к третьей главе 110
ГЛАВА IV 111
Роль уровней прилипания неравновесных электронов в процессе образования центров закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике CDCR2SE4 111
4.1. Введение 111.
4.2. Статистика захвата фотоэлектронов мелкими донорами, участвующими в образовании центров закрепления доменных стенок в CdC Se 112
4.3. Фотоиидуцированная прыжковая проводимость и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4:Ga 115
4.4. Структура фотоиндуцированиых центров в CdCr2Se4 125
4.5. Выводы к четвертой главе 129
Основные результаты и заключение 130
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Абдульманов, Рафаэль Рахимович
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Азави Аудай Кхудаиер
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Азанова Ирина Сергеевна
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3