Введение
Глава 1. Обзор литературы 13
1.1 Основные сведения об узкозонных полупроводниках и их применении 13
1.2 Поглощение света и фотопроводимость в узкозонных полупроводниковых структурах на основе HgCdTe 18
1.3 Рекомбинация носителей в узкозонных полупроводниковых структурах на основе HgCdTe 22
1.4 Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниковых структурах на основе HgCdTe 31
1.5 Фотолюминесценция и стимулированное излучение в узкозонных полупроводниковых структурах на основе HgCdTe 34
Глава 2. Исследования спектров фотопроводимости эпитаксиальных пленок и структур с КЯ на основе HgCdTe в среднем и дальнем ИК диапазоне 38
2.1 Исследуемые образцы 38
2.2 Методика измерения спектров фотопроводимости 43
2.3 Красная граница межзонных переходов в объемных эпитаксиальных пленках и структурах с КЯ на основе HgCdTe 46
2.4 Особенности спектров фотопроводимости, обусловленные примесями и дефектами 50
Глава 3. Исследования кинетики фотопроводимости эпитаксиальных пленок и структур с КЯ на основе HgCdTe в среднем и дальнем ИК диапазоне 63
3.1 Методика исследования кинетики фотопроводимости 63
3.2 Кинетика фотопроводимости в условиях слабого возбуждения
3.3 Кинетика фотопроводимости в условиях сильного возбуждения 72
Глава 4. Исследования спектров и кинетики фотолюминесценции эпитаксиальных пленок и структур с КЯ на основе HgCdTe в среднем и дальнем ИК диапазоне 78
4.1 Методика исследования спектров и кинетики фотолюминесценции 78
4.2 Спектры фотолюминесценции исследуемых структур в условиях непрерывного возбуждения 83
4.3 Спектры и кинетика фотолюминесценции исследуемых структур в условиях импульсного возбуждения 89
Заключение 101
Приложение 103
Список литературы
