Введение
Глава 1. Основные характеристики, особенности и тенденции развития микросхем флэш-памяти, постановка задач работы
1.1. Основные технологии изготовления микросхем флэш-памяти и тенденции их развития
1.2. Анализ наблюдаемых видов функциональных отказов в микросхемах флэш-памяти от воздействия ИИ КП
1.3. Комплексный анализ проблемной ситуации и постановка задачи экспериментального исследования функциональных сбоев в микросхемах флэш-памяти
1.4. Выводы по разделу 46
Глава 2. Инженерная модель и методики оценки стойкости микросхем флэш-памяти по эффектам функциональных сбоев от воздействия они-зирующих излучений космического пространства
2.1. Инженерная модель потери заряда в ячейках флэш памяти 47
2.2. Методики экспериментальных исследований функциональных сбоев от воздействия ОЯЧ
2.3. Методика экспериментальных исследований функциональных отказов флэш-памяти при дозовом воздействии
2.4. Выводы по разделу 74
Глава 3. Базовые алгоритмы и технические средства оценки стойкости микросхем флэш-памяти по эффектам функциональных отказов
3.1. Базовые алгоритмы оценки стойкости микросхем флэш- памяти к воздействию ионизирующих излучений космического пространства по эффектам функциональных отказов
3.2. Аппаратно-программные средства экспериментального комплекса
3.3. Выводы по разделу 94
Глава 4. Экспериментальная апробация методических и технических средств исследований функциональных сбоев в микросхемах флэш-памяти от воздействия ИИ КП
4.1. Экспериментальные результаты исследований стойкости микросхем флэш-памяти к воздействию ОЯЧ и рекомендации по ее повышению
4.2. Экспериментальные результаты исследований дозовой стойкости микросхем флэш-памяти и рекомендации по ее повышению
4.3. Выводы по разделу 118
Заключение 119
Список использованных источников 123
Список сокращений 134
