Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si

Якушев, Максим Витальевич. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: НИУ "Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников Сибирского отделения РАН"].- Новосибирск, 2011.- 192 с.: ил.
Автор
Якушев, Максим Витальевич
Год
2011

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
99 000 UZS
Автор
Аньчков, Денис Геннадьевич
Количество страниц
Год
2010
Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии
99 000 UZS
Автор
Демидова Наталия Евгеньевна
Количество страниц
Год
2010
Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)
99 000 UZS
Автор
Добровольский Александр Александрович
Количество страниц
Год
2010
Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
99 000 UZS
Автор
Истомин, Леонид Анатольевич
Количество страниц
Год
2010
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
99 000 UZS
Автор
Карташова Анна Петровна
Количество страниц
Год
2010
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3