Введение
1. Полупроводники на основе РЬТе 10
1.1 Свойства нелегированного РЬТе 10
1.2 Влияние легирующих примесей на свойства РЬТе 12
1.2.1 Особенности легирования теллурида свинца 12
1.2.2 Примесь индия в материалах на основе РЬТе 13
1.2.3 Теоретические модели 21
1.3 Особенности фотоэлектрических и транспортных свойств поликристаллических полупроводников и наноструктур 25
2 Методика эксперимента 29
2.1 Исследованные образцы 29
2:2 Измерительные установки 38
2.2.1 Измерительные камеры 38
2.2.2 Экспериментальные установки 41
3 Особенности транспорта и фотопроводимость в нанокристаллических пленках РЬТе(1п) 44
3.1 Измерения в статических электрических полях 44
3.2 Измерения в переменных электрических полях 48
3.3 Обсуждение результатов 63
4 Влияние окисления на транспортные свойства и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In) 73
4.1 Измерения в статических электрических полях 73
4.2 Измерения в переменных электрических полях 77
4.3 Обсуждение результатов 89
Основные результаты и выводы 98
