Глубокоохлаждаемые фотоприемники на основе антимонида индия

Мирошникова, Ирина Николаевна. Глубокоохлаждаемые фотоприемники на основе антимонида индия : автореферат дис. ... доктора технических наук : 01.04.10, 05.27.01 / Моск. энергет. ин-т.- Москва, 2005.- 39 с.: ил. РГБ ОД, 9 05-2/3221-3
Автор
Мирошникова, Ирина Николаевна
Год
2005

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе
99 000 UZS
Автор
Родионов Максим Александрович
Количество страниц
Год
2005
Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
99 000 UZS
Автор
Павлык Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2005
Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS
99 000 UZS
Автор
Парамонов Андрей Викторович
Количество страниц
Год
2005
Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах
99 000 UZS
Автор
Романов Константин Сергеевич
Количество страниц
Год
2005
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
99 000 UZS
Автор
Попов Владимир Павлович
Количество страниц
Год
2005
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3