Введение
1. Физико-химические проблемы формирования и роста оксидных пленок 18
1.1. Введение. Оксиды и оксидные пленки, перспективы их применения в оптике и микроэлектронике 18
1.2. Осаждение оксидных пленок при низких давлениях или в вакууме 21
1.3. Начальные этапы формирования пленок и эпитаксия 33
1.4. Термодинамический анализ условий осаждения оксидов из лазерной плазмы и модель формирования пленки 44
1.5. Псевдоморфизм, искажения решетки и дислокации несоответствия 52
1.6. Особенности строения поверхности оксидов 54
1.7. Эпитаксия оксидов на кремнии. Оксидные буферные пленки 61
1.8. Специфика роста оксидов при осаждении из паров или низкотемпературной плазмы 85
2. Методика импульсного лазерного осаждения оксидов и техника эксперимента 94
2.1. Механизм распыления материалов импульсным лазерным излучением 94
2.2. Взаимодействие лазерной плазмы с разряженными газами и оптимизация условий осаждения 100
2.3. Основное оборудование и приборы для импульсного лазерного осаждения 110
2.4. Дополнительное оборудование и методика контроля состава и структуры оксидных пленок 118
3. Формирование и рост эпитаксиальных пленок оксидов 120
3.1. Анализ физических условий осаждения пленок 120
3.2. Гомоэпитаксия оксидов 129
3.2.1. Рост пленок YSZ на подложках YSZ 130
3.2.2. Рост пленок SrTiCb на подложках SrTiCb 137
3.2.3. Рост пленок ЬаАЮз на подложках ЬаАЮз 151
3.3. Гетероэпитаксия. Оксидная система Z1O2 - СеОг - ЬагОз: 161
3.3.1. Эпитаксия оксидов ЬаАЮз, СеОги SrTiCb 168
3.3.2. Пленки Cei.xLax02-x/2 на подложках SrTi03 и ЬаАЮз 180
3.3.3. Пленки Zri xCex02 на подложках ЬаАЮз и YSZ 185
3.3.4. Пленки Zri xCex02 на кремниевых подложках 191
4. Многослойные функциональные оксидные структуры 232
4.1. Гетероструктуры на основе ВТСП пленок УВагСизОу: 236
4.1.1. Использование буферных слоев Zri.xCex02 и Сеі.хЬах02-х/2 для монокристаллических подложек Si(001), ЬаАЮз, SrTiC>3 и MgO. 236
4.1.2. Влияние условий роста пленок SrTi03 на резонансные свойства
фильтров ГВЧ, изготовленных на основе ВТСП гетероструктур 247
4.1.3. Туннельные барьеры Cei.xLax02-x/2 и SIS переходы Джозефсона 262
4.1.4. ЬазЫЬО; - перспективный материал для оксидных гетероструктур 275
4.2. Гетероструктуры на основе Ьао,б73го,ззМпОз: 284
4.2.1. Туннельные барьеры Се^Ьа^-х/г и БгТЮз в устройствах на магниторезистивном эффекте 284
Основные результаты и выводы 294
