Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
99 000 UZS
Автор
Кузьменков Александр Георгиевич
Количество страниц
Год
2008
Управление концентрацией свободных носителей заряда в кремниевой наноструктуре
Управление концентрацией свободных носителей заряда в кремниевой наноструктуре
99 000 UZS
Автор
Воронцов Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2008
Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)
Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)
99 000 UZS
Автор
Пахневич Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2008
Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
99 000 UZS
Автор
Грозная Елена Владимировна
Количество страниц
Год
2008
Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
99 000 UZS
Автор
Протасов Дмитрий Юрьевич
Количество страниц
Год
2008
Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурных при большом числе заполненных уровнений Ландау
Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурных при большом числе заполненных уровнений Ландау
99 000 UZS
Автор
Калагин Александр Константинович
Количество страниц
Год
2008
Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
99 000 UZS
Автор
Рабинович Олег Игоревич
Количество страниц
Год
2008
Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда
Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда
99 000 UZS
Автор
Кацоев Валерий Витальевич
Количество страниц
Год
2008
Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
99 000 UZS
Автор
Рыжкова Мария Валерьевна
Количество страниц
Год
2008
Твердотельные сенсорные структуры на кремнии
Твердотельные сенсорные структуры на кремнии
99 000 UZS
Автор
Тутов Евгений Анатольевич
Количество страниц
Год
2008
Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
99 000 UZS
Автор
Кислякова Анна Юрьевна
Количество страниц
Год
2008
Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0X0,015)
Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0X0,015)
99 000 UZS
Автор
Матиева Тоита Ахметовна
Количество страниц
Год
2008
Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений
Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений
99 000 UZS
Автор
Явтушенко Игорь Олегович
Количество страниц
Год
2008
Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов
Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов
99 000 UZS
Автор
Московский Сергей Борисович
Количество страниц
Год
2008
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
99 000 UZS
Автор
Анисимов Олег Викторович
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3