Введение
Глава. 1. Литературный обзор
1.1. Полупроводниковые ВИЛ — современное состояние 12
1.2. Принцип действия и основные особенности ВИЛ 14
1.3. Элементарная модель функционирования ВИЛ 19
1.4. Базовая конструкция ВИЛ спектрального диапазона 850 нм 28
1.5. Проблемы создания длинноволновых ВИЛ. 31
1.6. Матричные излучатели на основе ВИЛ. 34
1.7. Вертикально-излучающие лазеры на основе квантовых точек 41
Глава.2. Основные этапы проектирования вил
2.1. Проектирование ВИЛ 49
2.2. Моделирование растекания тепла 52
2.3. Моделирование оптического микрорезонатора 58
2.4. Транспорт носителей к активной области 68
2.5. Моделирование растекания тока для ВИЛ с внутрирезонаторными контактами 72
Глава.3. Развитие базовых элементов технологии вил
3.1. Получение структур ВИЛ методом молекулярно-пучковой эпитаксии 84
3.2. Оптимизация технология селективного окисления структур ВИЛ 102
3.3. Технология ВИЛ с внутрирезонаторной инжекцией носителей 126
3.4. Матричные излучатели на основе ВИЛ 133
Глава.4. Вил спектрального диапазона 1.3 мкм на основе квантовых точек InAs/InGaAs 145
4.1. Активная область на основе массивов самоорганизующихся КТ InAs/InGaAs для излучателей спектрального диапазона 1.3 мкм на подложках GaAs 146
4.2. Выбор конструкции КТ ВИЛ 154
4.3. Результаты экспериментальной реализации КТ ВИЛ 162
Глава.5. Вил на основе субмонослойных КТ InGaAs
5.1. Изготовление и исследование ВИЛ на основе субмонослойных InGaAs КТ 169
5.2. Явления самопульсации в ВИЛ на основе СМЛ КТ InAs/InGaAs 185
Заключение 199
Список литературы 206
Приложение 1 226
