Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Методы зондовой диагностики микроструктур: теория, моделирование и обратные задачи
Методы зондовой диагностики микроструктур: теория, моделирование и обратные задачи
99 000 UZS
Автор
Зайцев Сергей Иванович
Количество страниц
Год
2000
Формирование и люминесцентные свойства ансамблей нанокристаллических частиц кремния
Формирование и люминесцентные свойства ансамблей нанокристаллических частиц кремния
99 000 UZS
Автор
Лешок, Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2000
Тонкопленочные микросхемы на основе алюминия и его оксидов для криогенных температур
Тонкопленочные микросхемы на основе алюминия и его оксидов для криогенных температур
99 000 UZS
Автор
Короткевич, Александр Васильевич
Количество страниц
Год
2000
Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния
Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния
99 000 UZS
Автор
Нарейко, Андрей Игоревич
Количество страниц
Год
2000
Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольт-амперными характеристиками N-типа и приборов на их основе
Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольт-амперными характеристиками N-типа и приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Новоселов, Алексей Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе макроциклических соединений и исследование их электрофизических свойств
Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе макроциклических соединений и исследование их электрофизических свойств
99 000 UZS
Автор
Невешкин Александр Александрович
Количество страниц
Год
2006
Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем
Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем
99 000 UZS
Автор
Цырулев Андрей Анатольевич
Количество страниц
Год
2006
Микроволновые фотоэлектрические свойства двухэлектродных полупроводниковых структур
Микроволновые фотоэлектрические свойства двухэлектродных полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Шибаев Станислав Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Разработка и исследование детекторов квантов электромагнитного излучения на основе сверхпроводниковых наноструктур с туннельным переходом
Разработка и исследование детекторов квантов электромагнитного излучения на основе сверхпроводниковых наноструктур с туннельным переходом
99 000 UZS
Автор
Якопов Григорий Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGaInP и AlGaInN
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGaInP и AlGaInN
99 000 UZS
Автор
Никифоров Сергей Григорьевич
Количество страниц
Год
2006
Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
99 000 UZS
Автор
Драгунов Валерий Павлович
Количество страниц
Год
2005
Микромагнетизм и физические свойства ферромагнитных планарных наноструктур и наноконтактов
Микромагнетизм и физические свойства ферромагнитных планарных наноструктур и наноконтактов
99 000 UZS
Автор
Звездин Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2005
Исследование нестационарных процессов в p-i-n CdTe детекторах рентгеновского и гамма излучения
Исследование нестационарных процессов в p-i-n CdTe детекторах рентгеновского и гамма излучения
99 000 UZS
Автор
Ильвес Андрей Геннадьевич
Количество страниц
Год
2005
Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо- и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5
Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо- и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5
99 000 UZS
Автор
Селезнев Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Моделирование процесса ионно-лучевой обработки структуры металл-кремний и ее электронного энергетического строения
Моделирование процесса ионно-лучевой обработки структуры металл-кремний и ее электронного энергетического строения
99 000 UZS
Автор
Остапенко Наталья Александровна
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3