Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо- и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5

Селезнев Дмитрий Владимирович. Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо- и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5 : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 Москва, 2006 126 с. РГБ ОД, 61:06-5/3581
Автор
Селезнев Дмитрий Владимирович
Год
2006
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Воздействие проникающей радиации на электрофизические параметры материалов, катодо- и электролюминесценцию гомо- и гетероструктур на основе бинарных соединений твердых растворов а3в5 10
Выводы 28
ГЛАВА 2. Анализ влияния структуры излучающего р-п-перехода и параметров активной области на вольт-люмен-амперные характеристики (теория) 30
2.1. Введение 30
2.2. Электролюминесценция из оптически активного слоя р-п-или гетероперехода в режиме малого уровня инжекции 30
2.3. Электролюминесценция из оптически активного компенсированного слоя в режиме высокого уровня инжекции в диффузионном приближении теории 32
2.4. ЭЛ из оптически активных низкоомных р+- и п+-областей р+-р(п)-п+-структуры 43
2.5. Электролюминесценция из оптически активного слоя в дрейфовом приближении теории 48
2.5.1. Основные положения и расчетные соотношения 48
2.5.2. Вольт-люмен-амперные характеристики (ВЛАХ) при преобладании омической релаксации, бимолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной ремобинации в квантовой яме 51
2.5.3. ВЛАХ в случае преобладания омической релаксации, мономолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме 52
2.5.4. ВЛАХ при преобладании времени пролета бимолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме 53
2.5.5. ВЛАХ при преобладании времени пролета, мономолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме 54
Выводы 55
ГЛАВА 3. Методы облучения и контроля параметров и характеристик светоизлучающих структур до и после облучения 57
ГЛАВА 4. Исследование воздействия нейтронного, протонного, электронного и гамма облучения на вольт-люмен-амперные характеристики ai0,33ga0,67as гетероструктуры 61
4.1. Исследование структуры и методики облучения 61
4.2. Экспериментальные результаты по изменению ВАХ и силы света при нейтронном облучении 62
4.3. Обсуждение экспериментальных результатов и расчет констант повреждения при нейтронном облучении 65
4.4. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов протонами 72
4.5. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов электронами 72
4.6. Снижение силы света и расчет константы повреждаемости при облучении светодиодов гамма квантами 73
Выводы 73
ГЛАВА 5. Исследование воздействия электронного, нейтронного, протонного и гамма облучения на вольт-люмен-амперные характеристики и параметры активной области gaas0.6po.4 p+-p(n)-n+- структуры 75
5.1. Исследуемые приборы, структуры и методика облучения 75
5.2. Экспериментальные ВАХ до и после облучения 76
5.3. Обсуждение экспериментальных ВАХ и определение констант повреждаемости 81
5.4. Экспериментальные вольт-люмен-амперные характеристики до и после облучения 89
5.5. Обсуждение экспериментальных вольт-люмен-амперных характеристик и определение констант повреждаемости 93
5.6.Статистические исследования влияния электронного, нейтронного, протонного и гамма облучения на силу света 96
5.6.1.Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов электронами 96
5.6.2. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов нейтронами 97
5.6.3. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов протонами 97
Выводы 100
ГЛАВА 6. Исследование воздействия нейтронного и гамма облучения на вольт-люмен-амперные характеристики и параметры активной области эффективных сверхярких (alxga1.x)o,5ino,5p гетероструктур с красным и желтым цветом свечения 100
6.1. Исследуемые гетероструктуры и методика облучения 100
6.2. Распределение концентрации заряженных центров в гетероструктурах до и после облучения 103
6.3. Вольт-люмен-амперные характеристики (Alo^GaojVsIno.sP гетероструктур с красным цветом свечения до и после облучения 104
6.4. Вольт-люмен-амперные характеристики (А1о,40ао,з)о,5ІПо,5Р гетероструктур с желтым цветом свечения до и после облучения 10810
6.5. Обсуждение экспериментальных результатов и оценка константы повреждаемости времени жизни 111
Выводы 116
Заключение 118
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Остапенко Наталья Александровна
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Петров Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Пурцхванидзе Ираклий Андреевич
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Чернявский Евгений Вадимович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Сидоров Анатолий Анатольевич
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3