Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Конструкторско-технологические принципы проектирования и изготовления радиоэлектронных компонентов из сверхпроводящих иттрий-бариевых купратов
Конструкторско-технологические принципы проектирования и изготовления радиоэлектронных компонентов из сверхпроводящих иттрий-бариевых купратов
99 000 UZS
Автор
Фирсов Николай Илларионович
Количество страниц
Год
2004
Близкопольная сканирующая зондовая микроскопия для формирования и измерения свойств наноразмерных структур
Близкопольная сканирующая зондовая микроскопия для формирования и измерения свойств наноразмерных структур
99 000 UZS
Автор
Душкин Игорь Валерьевич
Количество страниц
Год
2003
Процессы жидкостной химической подготовки кремниевых пластин в производстве СБИС с субмикронными проектными нормами
Процессы жидкостной химической подготовки кремниевых пластин в производстве СБИС с субмикронными проектными нормами
99 000 UZS
Автор
Кирюшина Ирина Васильевна
Количество страниц
Год
2003
Физико-технологические основы создания магнитных головок для высокоплотной записи информации
Физико-технологические основы создания магнитных головок для высокоплотной записи информации
99 000 UZS
Автор
Малюков Сергей Павлович
Количество страниц
Год
2003
Статистические модели контроля выхода годных и технологических потерь в производстве СБИС
Статистические модели контроля выхода годных и технологических потерь в производстве СБИС
99 000 UZS
Автор
Руднев Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2003
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и d-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и d-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации
99 000 UZS
Автор
Галиев Галиб Бариевич
Количество страниц
Год
2003
Методы увеличения времени функционирования КМОП СБИС запоминающих устройств в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов
Методы увеличения времени функционирования КМОП СБИС запоминающих устройств в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов
99 000 UZS
Автор
Поливанов Андрей Павлович
Количество страниц
Год
2003
Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения
Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения
99 000 UZS
Автор
Зебрев Геннадий Иванович
Количество страниц
Год
2003
Кремниевые функционально-интегрированные пиксельные структуры координатных детекторов радиационных частиц
Кремниевые функционально-интегрированные пиксельные структуры координатных детекторов радиационных частиц
99 000 UZS
Автор
Сычевский Виталий Алексеевич
Количество страниц
Год
2003
Физико-химические и технологические основы получения полиимидных структур для микроэлектронных устройств, устройств микромеханики и микросенсорики
Физико-химические и технологические основы получения полиимидных структур для микроэлектронных устройств, устройств микромеханики и микросенсорики
99 000 UZS
Автор
Жуков Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2003
Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии
Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии
99 000 UZS
Автор
Трунин Дмитрий Александрович
Количество страниц
Год
2003
Предельные напряжения двух и трехмерных p-n переходов в высоковольтных полупроводниковых приборах
Предельные напряжения двух и трехмерных p-n переходов в высоковольтных полупроводниковых приборах
99 000 UZS
Автор
Шалимов Олег Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Формирование поверхностей заданного профиля методами термопластического и упругого изгиба и нанесение на них многослойных наноструктур для систем управления рентгеновским излучением
Формирование поверхностей заданного профиля методами термопластического и упругого изгиба и нанесение на них многослойных наноструктур для систем управления рентгеновским излучением
99 000 UZS
Автор
Ахсахалян Арам Давидович
Количество страниц
Год
2002
Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов
Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов
99 000 UZS
Автор
Бокарев Дмитрий Игоревич
Количество страниц
Год
2002
Высокочастотные электронные процессы в полупроводниковых классических сверхрешетках
Высокочастотные электронные процессы в полупроводниковых классических сверхрешетках
99 000 UZS
Автор
Гусятников Виктор Николаевич
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3