Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
99 000 UZS
Автор
Рыбин, Николай Борисович
Количество страниц
Год
2011
Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
99 000 UZS
Автор
Рыбальченко, Андрей Юрьевич
Количество страниц
Год
2013
Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия
Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия
99 000 UZS
Автор
Форш, Екатерина Александровна
Количество страниц
Год
2013
Нестехиометрия и дефекты структуры в монокристаллах и пленках ферритов-гранатов, легированных ионами Ca2+
Нестехиометрия и дефекты структуры в монокристаллах и пленках ферритов-гранатов, легированных ионами Ca2+
99 000 UZS
Автор
Читанов, Денис Николаевич
Количество страниц
Год
2013
Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
99 000 UZS
Автор
Потапович, Наталия Станиславовна
Количество страниц
Год
2012
Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP
Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP
99 000 UZS
Автор
Абрамкин, Демид Суад
Количество страниц
Год
2012
Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
99 000 UZS
Автор
Комиссаров, Андрей Леонидович
Количество страниц
Год
2011
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Горн, Дмитрий Игоревич
Количество страниц
Год
2012
Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Гусин, Дмитрий Вадимович
Количество страниц
Год
2012
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
99 000 UZS
Автор
Жмерик Валентин Николаевич
Количество страниц
Год
2012
Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
99 000 UZS
Автор
Коптев, Евгений Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия
Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия
99 000 UZS
Автор
Романов, Вячеслав Витальевич
Количество страниц
Год
2013
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
99 000 UZS
Автор
Тимошнев, Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2011
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
99 000 UZS
Автор
Феклистов, Константин Викторович
Количество страниц
Год
2011
Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
99 000 UZS
Автор
Бондаренко, Евгений Владимирович
Количество страниц
Год
2010
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3