Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Процессы самоорганизации наноструктур в углеродистой среде, активируемой потоком электронов, в сильных электрических полях
Процессы самоорганизации наноструктур в углеродистой среде, активируемой потоком электронов, в сильных электрических полях
99 000 UZS
Автор
Мордвинцев, Виктор Матвеевич
Количество страниц
Год
2000
Электрофизические свойства и природв локализованных состояний в гетеропереходах на основе а-Si:H и его сплавов
Электрофизические свойства и природв локализованных состояний в гетеропереходах на основе а-Si:H и его сплавов
99 000 UZS
Автор
Бирюков, Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка и исследование конструкции и технологии высокоэффективных термоэлектрических устройств
Разработка и исследование конструкции и технологии высокоэффективных термоэлектрических устройств
99 000 UZS
Автор
Боженарь, Дмитрий Александрович
Количество страниц
Год
2000
Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака
Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака
99 000 UZS
Автор
Новоселов, Константин Петрович
Количество страниц
Год
2000
Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей
Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей
99 000 UZS
Автор
Быков, Виктор Александрович
Количество страниц
Год
2000
Методы зондовой диагностики микроструктур: теория, моделирование и обратные задачи
Методы зондовой диагностики микроструктур: теория, моделирование и обратные задачи
99 000 UZS
Автор
Зайцев Сергей Иванович
Количество страниц
Год
2000
Формирование и люминесцентные свойства ансамблей нанокристаллических частиц кремния
Формирование и люминесцентные свойства ансамблей нанокристаллических частиц кремния
99 000 UZS
Автор
Лешок, Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2000
Тонкопленочные микросхемы на основе алюминия и его оксидов для криогенных температур
Тонкопленочные микросхемы на основе алюминия и его оксидов для криогенных температур
99 000 UZS
Автор
Короткевич, Александр Васильевич
Количество страниц
Год
2000
Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния
Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния
99 000 UZS
Автор
Нарейко, Андрей Игоревич
Количество страниц
Год
2000
Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольт-амперными характеристиками N-типа и приборов на их основе
Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольт-амперными характеристиками N-типа и приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Новоселов, Алексей Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе макроциклических соединений и исследование их электрофизических свойств
Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе макроциклических соединений и исследование их электрофизических свойств
99 000 UZS
Автор
Невешкин Александр Александрович
Количество страниц
Год
2006
Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем
Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем
99 000 UZS
Автор
Цырулев Андрей Анатольевич
Количество страниц
Год
2006
Микроволновые фотоэлектрические свойства двухэлектродных полупроводниковых структур
Микроволновые фотоэлектрические свойства двухэлектродных полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Шибаев Станислав Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Разработка и исследование детекторов квантов электромагнитного излучения на основе сверхпроводниковых наноструктур с туннельным переходом
Разработка и исследование детекторов квантов электромагнитного излучения на основе сверхпроводниковых наноструктур с туннельным переходом
99 000 UZS
Автор
Якопов Григорий Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGaInP и AlGaInN
Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGaInP и AlGaInN
99 000 UZS
Автор
Никифоров Сергей Григорьевич
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3