Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
99 000 UZS
Автор
Прыкина Елена Николаевна
Количество страниц
Год
2002
Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
99 000 UZS
Автор
Шляпин Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
99 000 UZS
Автор
Иванов Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2000
Спектры краевой фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaSa, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
Спектры краевой фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaSa, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
99 000 UZS
Автор
Карачевцева, Мария Виссарионовна
Количество страниц
Год
2000
Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой
Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой
99 000 UZS
Автор
Котов, Леонид Нафанаилович
Количество страниц
Год
2000
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
99 000 UZS
Автор
Кудряшов, Игорь Вениаминович
Количество страниц
Год
2000
Исследование явления неустойчивости в мультистабильных неоднородных полупроводниках
Исследование явления неустойчивости в мультистабильных неоднородных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Макарян, Анушаван Айкарамович
Количество страниц
Год
2000
Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
99 000 UZS
Автор
Моливер Сергей Соломонович
Количество страниц
Год
2000
Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью
Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью
99 000 UZS
Автор
Еремян, Аршам Серобович
Количество страниц
Год
2000
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : = 1.3-1.55 мкм
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : = 1.3-1.55 мкм
99 000 UZS
Автор
Пихтин, Никита Александрович
Количество страниц
Год
2000
Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl
Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl
99 000 UZS
Автор
Салапак, Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2000
Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
99 000 UZS
Автор
Лабутин, Александр Валериевич
Количество страниц
Год
2000
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
99 000 UZS
Автор
Самойлов, Виктор Александрович
Количество страниц
Год
2000
Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
99 000 UZS
Автор
Мусаев, Ахмед Магомедович
Количество страниц
Год
2000
Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
99 000 UZS
Автор
Новиков, Юрий Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3