Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Целочисленный квантовый эффект Холла и циклотронный резонанс в двумерном электронном газе с разъединенными уровнями Ландау
Целочисленный квантовый эффект Холла и циклотронный резонанс в двумерном электронном газе с разъединенными уровнями Ландау
99 000 UZS
Автор
Грешнов Андрей Анатольевич
Количество страниц
Год
2008
Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов
Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов
99 000 UZS
Автор
Демин Вячеслав Александрович
Количество страниц
Год
2023
Оптические свойства монокристаллов теллурида цинка, легированных примесями переходных элементов группы железа
Оптические свойства монокристаллов теллурида цинка, легированных примесями переходных элементов группы железа
99 000 UZS
Автор
Жмурко, Александр Иванович
Количество страниц
Год
2006
Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
99 000 UZS
Автор
Логозинская, Елена Станиславовна
Количество страниц
Год
2006
Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
99 000 UZS
Автор
Каштанкин Илья Александрович
Количество страниц
Год
2006
Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
99 000 UZS
Автор
Калагин Александр Константинович
Количество страниц
Год
2008
Электронный парамагнитный резонанс дефектов и примесей в кремнии с различным изотопным составом
Электронный парамагнитный резонанс дефектов и примесей в кремнии с различным изотопным составом
99 000 UZS
Автор
Гусейнов Давуд Вадимович
Количество страниц
Год
2007
Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов
Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов
99 000 UZS
Автор
Варламов Александр Геннадьевич
Количество страниц
Год
2006
Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
99 000 UZS
Автор
Львов Павел Евгеньевич
Количество страниц
Год
2001
Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
99 000 UZS
Автор
Яновицкая Зоя Шмеровна
Количество страниц
Год
2003
Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
99 000 UZS
Автор
Ромашко Лариса Николаевна
Количество страниц
Год
2001
Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
99 000 UZS
Автор
Стародубцев, Артем Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией
Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией
99 000 UZS
Автор
Зверев, Алексей Викторович
Количество страниц
Год
2006
Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
99 000 UZS
Автор
Павлюченко Максим Николаевич
Количество страниц
Год
2002
Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
99 000 UZS
Автор
Никитина Екатерина Викторовна
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3