Введение
ГЛАВА 1. Современное состояние проблемы контроля и испытаний ОЭП 14
1.1 Оптико-электронный преобразователь, как объект технической диагностики. Назначение, структура, процесс изготовления 14
1.2 Характерные дефекты блока ОЭП 20
1.3 Анализ технического состояния оптико-электронного преобразователя 28
1.4 Анализ методов и средств диагностирования РЭА 32
1.5 Постановка задачи исследования 36
Выводы по главе 1 39
ГЛАВА 2. Разработка методики контроля фоточувствительной матрицы пзс по тепловой картине поверхности 41
2.1 Исследование зависимости температуры поверхности микросхемы ФМПЗС от ее технического состояния 41
2.2 Построение трехмерной теплофизической модели микросхемы ФМПЗС 43
2.3 Построение двумерной модели теплопереноса с поверхности микросхемы ФМПЗС 51
2.4 Анализ методов температурного контроля 54
2.5 Методика температурного контроля технического состояния микросхемы ФМПЗС 62
2.6 Исследование погрешностей математической модели теплового контроля ФМПЗС 67
2.7 Принятие решения об исправности микросхемы ФМПЗС при
проведении контроля по тепловой картине 72
Выводы по главе 2 74
ГЛАВА 3. Разработка иис для комплексных испытаний оэп и температурного контроля микросхемы фмпзс в процессе наземных испытаний 76
3.1 Общая структурная схема информационно-измерительной системы для проведения комплексных испытаний ОЭП 76
3.2 Требования, предъявляемые к информационно-измерительной системе для температурного контроля ФМПЗС 79
3.3 Подсистема контроля технического состояния микросхемы ФМПЗС по тепловой картине 80
3.4 Расчет предельно допустимых значений температуры перегрева поверхности ФМПЗС 90
3.5 Разработка метрологической модели подсистемы температурного контроля и анализ ее погрешностей 92
3.5.1 Метрологическая модель 92
3.5.2 Анализ погрешностей измерительных каналов 94
3.6 Алгоритм автоматизированного контроля технического состояния микросхемы ФМПЗС 101
Выводы по главе 3 104
ГЛАВА 4. Экспериметальная проверка методики температурного контроля технического состояния микросхемы ФМПЗС 106
4.1 Определение коэффициента теплового излучения поверхности микросхемы ФМПЗС 106
4.2 Расчет предельно допустимых значений температуры перегрева поверхности ФМПЗС по экспериментальным данным 110
4.2.1 Анализ результатов испытаний, проводимых в нормальных условиях 111
4.2.2 Анализ результатов испытаний, проводимых при повышенной температуре среды
4.3 Определение погрешности измерительного канала для контроля температуры поверхности ФМПЗС в пределах рабочего диапазона измерений 114
4.4 Анализ математических моделей теплообмена 116
4.5 Экспериментальное исследование микросхем ФМПЗС с помощью разработанной ИИС 123
4.6 Использование метода Байеса для обработки статистических данных результатов наземных испытаний оптико-электронного преобразователя 131
4.7 Производительность метода температурного контроля 135
4.8 Технические характеристики разработанной ИИС 137
Выводы по главе 4 139
Заключение 141
Список литературы 143
