Введение
Глава 1. Обзор литературных источников и постановка задачи исследования 10
1.1 Физические свойства и возможности применения четырехкомпонентного твердого раствора GaInPAs в оптоэлектронике .10
1.2 Влияние пространственной локализации на электронные свойства полупроводниковых низкоразмерных структур .14
1.3 Технологические методы получения полупроводниковых наноразмерных структур 17
1.4 Метод ионно-лучевого осаждения 23
1.5 Особенности ионно-лучевого осаждения многокомпонентных соединений 26
1.6 Сравнительный анализ методов получения наноструктур 27
1.7 Обоснование и постановка задачи исследования 29
Выводы 31
Глава 2. Расчет кинетических параметров осаждения многокомпонентных твердых растворов и моделирование процессов формирования наноструктур GaInPAs в условиях ИЛО .32
2.1 Расчет коэффициентов распыления компонентов твердого раствора GaInPAs 32
2.2 Расчет зависимости величины коэффициента распыления In от угла падения ионного пучка 36
2.3 Расчет скорости распыления многокомпонентного твердого раствора GaInPAs .38
2.4 Расчет скорости осаждения многокомпонентного твердого раствора GaInPAs .40
2.5 Расчет основных параметров твердого раствора GaInPAs .46
2.6 Расчетная модель формирования наноструктур GaInPAs в условиях ИЛО 54
Выводы .60
Глава 3. Особенности конструкции установки ионно-лучевого осаждения для получения наноразмерных структур GaInPAs 63
3.1 Технологическая установка ионно-лучевого осаждения .63
3.2 Методика синтеза многокомпонентных наноразмерных структур GaInPAs в условиях ИЛО 73
3.3 Расчет вакуумной системы установки ионно-лучевого осаждения при выходе на рабочий режим .74
Выводы .83
Глава 4. Результаты экспериментальных исследований получения наноструктур GaInPAs с помощью ионно-лучевого осаждения .84
4.1 Результаты СЭМ и АСМ исследований 84
4.2 Результаты исследования элементного состава наноразмерных структур выращенных методом ИЛО 100
4.3 Люминесцентные свойства наноструктур GaInPAs/GaAs и GaInAs 105
4.4 Возможности приборной реализации исследованных наноструктур GaInPAs полученных методом ИЛО в оптоэлектронике .107
4.5 Практические рекомендации по формированию наноструктур
методом ионно-лучевого осаждения .108 Выводы 110
Заключение 113
Список сокращений и условных обозначений .116
Список литературы
