Исследование и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти на основе КМОП-технологии

Ермаков Игорь Владимирович. Исследование и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти на основе КМОП-технологии: диссертация ... кандидата технических наук: 05.27.01 / Ермаков Игорь Владимирович;[Место защиты: Московский институт электронной техники].- Москва, 2015.- 146 с.
Автор
Ермаков Игорь Владимирович
Год
2015
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Современное состояние и перспективы развития энергонезависимой памяти 13
1.1 Классификация и обзор видов п/п памяти 13
1.2 Принцип работы эсрпзу 16
1.3 Различия между эсппзу и флэш-памятью и их основные характеристики 18
1.4 Тенденции развития энергонезависимой памяти 22
1.5 Обзор современных ведущих фирм, специализирующихся на проектировании и изготовлении эсппзу и флэш-памяти 27
1.6 Области применения эсппзу с одним уровнем поликремния 32
1.7 Выводы по первой главе 35
Постановка задачи 40
Глава 2. Методика проектирования ячейки эсппзу на основе традиционной кмоп-технологии 41
2.1. Анализ конструктивно-технологических принципов реализации ячеек эсппзу на базе кмоп-технологии 41
2.2. Анализ технологического базиса 49
2.3. Способ формирования и конструкция ячейки памяти 51
2.4. Режимы работы ячейки памяти 54
2.5. Методика проектирования ячейки эсппзу 58
2.6. Выводы по второй главе 61
Глава 3. Анализ и характеризация ячеек эсппзу с плавающим затвором в кмоп-технологии с проектными нормами 0,18 мкм и одним уровнем поликремния 62
3.1 Зависимость порогового напряжения от длительности и амплитуды импульса записи/стирания 63
3.2 Зависимость порогового напряжения от количества циклов перезаписи 69
3.3 Методика определения и расчет времени хранения 71
3.4 Сравнение характеристик разработанных ячеек с зарубежными аналогами 83
3.5 Выводы по третьей главе 83
Глава 4. Схемотехнические методы построения встроенного эсппзу на основе традиционной кмоп технологии и практическое применение 85
4.1 Схемотехнические методы, обеспечивающие использование повышенного напряжения питания в схеме 85
4.1.1. Метод преобразования на основе защитных транзисторов 86
4.1.2. Метод зарядовой накачки 96
4.2 Способы построения усилителя считывания 103
4.3 Цифровой последовательный однопроводнои интерфейс передачи данных 107
4.4 Схемотехнические решения r-триггера, d-триггера и сдвигового регистра с эсппзу 111
4.5 Практическое применение результатов при разработке микросхем с встроенным эсппзу 117
4.6 Выводы по четвертой главе 122
Заключение 125
Список сокращений 128
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Белинский Леонид Владимирович
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Белоусов Сергей Алексеевич
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3