Введение
Глава 1. Электрофизические свойства оксида цинка (ZnO), оксида олова (SnO2), станната цинка (Zn2SnO4) и применение их в тонкопленочных прозрачных транзисторах 8
1.1 Основные электрофизические свойства оксида цинка 8
1.1.1 Применение оксида цинка в электронике 8
1.1.2 Кристаллическая структура оксида цинка 9
1.1.3 Зонная структура ZnO
1.2 Применение оксида цинка в TTFT 14
1.3 Основные электрофизические свойства диоксида олова (SnO2)
1.3.1 Применение диоксида олова в электронике 27
1.3.2 Кристаллическая структура диоксида олова 29
1.3.3 Зонная структура диоксида олова
1.4 Применение диоксида олова в TTFT 32
1.5 Основные электрофизические свойства станната цинка
1.5.1 Применение станната цинка в электронике 37
1.5.2 Кристаллическая структура станната цинка
1.6 Применение Zn2SnO4 в TTFT 41
1.7 Подзатворные диэлектрики на основе TiO2 применяемые в TTFT 47
Выводы к главе 1 49
Глава 2. Методика эксперимента 51
2.1 Методы изготовления тонких металлооксидных пленок 51
2.1.1 Ионно-лучевой метод напыления пленок 51
2.1.2 Метод магнетронного распыления пленок
2.2 Метод рентгеновского микроанализа 55
2.3 Оптические методы исследования параметров металлооксидов 56
2.4 Методика измерения толщин металлооксидных пленок 60
2.5 Методика измерения электрических параметров 63
2.5.1 Четырехзондовый метод определения удельного сопротивления 63
2.5.2 Метод Ван-дер-Пау для измерения удельного сопротивления 67
2.5.3 Измерение подвижности и концентрации методом эффекта Холла 68
Выводы к главе 2 70
Глава 3. Исследование характеристик многокомпонентных металлооксидов применяемых в тонкопленочных прозрачных транзисторах 71
3.1 Прозрачные проводящие материалы для применений в TTFT 71
3.2 Исследование электрофизических свойств пленок ITO 72
3.3 Электрофизические свойства TiO2 + SiO2 74
3.3.1 Измерение вольт-фарадных характеристик пленок TiO2 + SiO2 77
3.4 Исследование электрофизических свойств пленок Zn2SnO4 80
3.4.1 Электрофизические свойства пленок (SnO2)x(ZnO)1-x партии №1279 81
3.4.2 Электрофизические свойства пленок Zn2SnO4 партии №1377 91
Выводы к главе 3 99
Глава 4. Разработка макетного образца тонкопленочного прозрачного транзистора на основе ZTO 100
4.1 Конструкция TTFT на основе ZTO 100
4.2 Маски для напыления структур 102
4.3 Исследование оптических свойств двухслойных структур ITO – TiO2 105
4.4 Исследование электрических свойств двухслойных структур ITO – TiO2 108
4.5 Применение теневых масок для напыления канала ZTO 110
4.6 Исследование оптических свойств трехслойных структур ITO – TiO2 – ZTO 112
Выводы к главе 4 113
Основные результаты и выводы 114
Список литературы 115
