Введение
Глава 1 Обзор современного состояния кремниевых микроэлектронных датчиков магнитного поля 13
1.1 Современные чувствительные элементы микроэлектронных датчиков магнитного поля 14
1.2 МДПДМ полевой датчик Холла, его свойства и возможности 21
1.3 Обоснование направления исследований 29
Глава 2 Объекты изучения и методы экспериментальных исследований 33
2.1 ПДХ с управлением p-n переходами и с МОП управлением 33
2.2 Методы экспериментальных исследований 43
Глава 3 Исследование характеристик ПДХ с различными типами полевого управления 51
3.1 Моделирование ПДХ, управляемых p-n переходами 51
3.2 Описание экспериментальных образцов 59
3.3 Экспериментальные исследования тестовых элементов Холла на основе КНИ структур, изготовленных по технологии XT018 62
3.4 Экспериментальные исследования тестовых элементов Холла, изготовленных по технологии XT035 76
3.5 Моделирование ПДХ с МОП управлением 80
3.6 Анализ температурного диапазона функционирования ПДХ с различными типами полевого управления 93
Выводы к главе 3 104
Глава 4 Разработка магниточувствительных датчиков на основе ПДХ 106
4.1 Датчики с частотным выходом 106
4.2 Принципы создания активного сенсора для многоэлементных преобразователей магнитного поля 116
Выводы к главе 4 130
Заключение 131
Список сокращений и условных обозначений 142
Список литературы 143
Приложение А 150
Приложение Б 155
Приложение В 158
Справки о внедрении 161
