Введение
1 Дозовые ионизационные эффекты в кремниевых полупроводниковых приборах и интегральных схемах различных технологических вариантов в условиях длительного низкоинтенсивного облучения (обзор литературы) 12
1.1 Общее описание радиационно-индуцированного накопления заряда в структуре Si/SiO2 12
1.2 Эффекты длительного низкоинтенсивного облучения 14
1.3 Зависящие от времени эффекты в изделиях МОП- и КМОП-технологии 17
1.4 Истинные эффекты мощности дозы в изделиях биполярной технологии 27
1.5 Методы прогнозирования и оценки стойкости изделий МОП- и КМОП-технологии к воздействию низкоинтенсивного ионизирующего излучения 37
1.5.1 Американский стандарт MIL-STD-883J Метод 1019.9 Порядок испытаний на воздействие ИИ (накопленной дозы) (Method 1019.9. Ionizing Radiation (Total Dose) Test Procedure) 37
1.5.2 Европейский стандарт ESCC Basic Specification No. 22900. Метод испытаний на накопленную дозу (Total Dose Steady-State Irradiation Test Method) 41
1.5.3 Руководящий документ РД В 319.03.37-2000. Изделия электронной техники. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Инженерные методы ускоренных испытаний на стойкость к воздействию низкоинтенсивных протонного и электронного излучений космического пространства. 45
1.5.4 Отраслевой стандарт ОСТ 134-1034-2012. Аппаратура, приборы, устройства и оборудование космических аппаратов. Методы испытаний и оценки стойкости бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к воздействию электронного и протонного излучений космического пространства по дозовым эффектам 48
1.6 Методы прогнозирования и оценки стойкости полупроводниковых изделий биполярной технологии к воздействию низкоинтенсивного ионизирующего излучения 49
1.7 Выводы по главе 1 и постановка задачи исследований 56
2 Исследование дозовых эффектов в биполярных транзисторах в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения с высокими уровнями поглощенной дозы 58
2.1 Условия экспериментов 58
2.2 Обсуждение результатов 63
2.3 Моделирование дозовых эффектов в биполярных транзисторах при различных мощностях дозы при облучении 67
2.4 Выводы по главе 2 72
3 Исследования дозовых эффектов в аналоговых биполярных ИС в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения 73
3.1 Условия экспериментов 73
3.2 Обсуждение результатов 75
3.3 Выводы по главе 3 82
4 Исследование дозовых эффектов в аналоговых ИС БиКМОП и КМОП технологий в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения 84
4.1 Условия экспериментов 84
4.2 Обсуждение результатов исследований ИС БиКМОП-технологии 87
4.3 Моделирование с помощью конверсионной модели 96
4.4 Обсуждение результатов исследований изделий КМОП-технологии 99
4.5 Выводы по главе 4 105
5 Разработка методов ускоренных испытаний аналоговых ИС с учетом эффектов длительного низкоинтенсивного облучения 106
5.1 Методика испытаний полупроводниковых изделий биполярной технологии 106
5.1.1 Методика испытаний биполярных полупроводниковых изделий с непрерывно изменяющимися параметрами 111
5.1.2 Методика испытаний биполярных полупроводниковых изделий с дискретно изменяющимися параметрами 114
5.2 Методика испытаний полупроводниковых изделий БиКМОП-технологии 116
5.3 Методика испытаний полупроводниковых изделий КМОП-технологии 118
5.4 Выводы по главе 5 120
Заключение 121
Список литературы 124
Приложение А Методика ускоренных испытаний изделий электронной техники биполярной технологии с учетом эффектов длительного низкоинтенсивного облучения 134
Приложение Б Методика ускоренных испытаний изделий электронной техники смешанной (БиКМОП) технологии с учетом эффектов длительного низкоинтенсивного облучения 148
Приложение В Акт внедрения результатов диссертации в НИЯУ МИФИ 160
Приложение Г Акт внедрения результатов диссертации в АО «НИИП» 161
