Введение
Глава 1 Особенности конструкции и проектирования современных мощных СВЧ LDMOS транзисторов 13
1.1 Перспективы применения мощных СВЧ LDMOS транзисторов 13
1.2 Проектирование полупроводниковых приборов 15
1.3 Технологические особенности кристалла СВЧ LDMOS транзистора 18
1.4 Тепловые эффекты в транзисторе 22
1.5 Пробой в транзисторе 24
1.6 Модернизация затворного узла мощного СВЧ LDMOS транзистора 25
1.7 Выводы 32
Глава 2 Анализ работы усилительного каскада на СВЧ LDMOS транзисторе 33
2.1 Описание цепей согласования, используемых в усилительном каскаде 33
2.2 Система анализа, используемая для исследования работы усилительного каскада на мощном СВЧ LDMOS транзисторе и для построения цепей согласования для него 36
2.2.1 Описание системы анализа работы усилительного каскада на мощном СВЧ LDMOS транзисторе 36
2.2.2 Построение нелинейной модели мощного СВЧ LDMOS транзистора и описание ее параметров 38
2.2.3 Расчет эксплуатационных параметров транзистора на большом сигнале, исходя из его нелинейной эквивалентной схемы 42
2.2.4 Синтез входных и выходных цепей согласования усилительного каскада 45
2.2.5 Пример анализа усилительного каскада на транзисторе 2ПЕ301А и построение цепей согласования для него 47
2.2.6 Оценка погрешности использования «свертки» по первой гармонике цепей согласования моделируемого усилительного каскада 54
2.3 Выводы 57
Глава 3 Расчет потерь во внутренних цепях в корпусе мощного СВЧ транзистора и оценка их влияния на эксплуатационные характеристики усилительного каскада 58
3.1 Потери в согласующих конденсаторах в корпусе мощного СВЧ транзистора 58
3.2 Описание модели в программе электромагнитного моделирования для расчета потерь во внутренних цепях согласования транзистора 60
3.3 Расчет потерь во внутренних цепях транзистора 62
3.4 Экспериментальная оценка потерь во внутренних цепях транзистора 65
3.5 Расчет эксплуатационных параметров усилительного каскада с учетом потерь в согласующих цепях 67
3.6 Выводы 69
Глава 4 Анализ эксплуатационных характеристик усилительного каскада с учетом индуктивностей соединительных проводников и взаимных индуктивностей между ними в корпусе мощного СВЧ транзистора 70
4.1 Моделирование индуктивностей соединительных проводников и взаимных индуктивностей между ними в корпусе мощного СВЧ транзистора в программе электромагнитного моделирования 70
4.2 Оценка влияния сосредоточенных портов на результаты расчета 74
4.3 Сопоставление рассчитанных значений с экспериментальными данными 76
4.4 Оценка влияния взаимных индуктивностей на эксплуатационные характеристики усилительного каскада 78
4.4.1 Оценка влияния взаимных индуктивностей между рядами проводников, находящимися либо во входном, либо в выходном согласующем контуре, на эксплуатационные характеристики усилительного каскада 78
4.4.2 Оценка влияния взаимных индуктивностей между рядами, находящимися во входном и в выходном контуре, на эксплуатационные характеристики усилительного каскада 79
4.5 Рекомендации к конструкции внутренних цепей согласования мощного СВЧ LDMOS транзистора, приводящие к уменьшению взаимных индуктивностей в его корпусе 83
4.6 Выводы 85
Глава 5 Анализ побочных негативных эффектов при сложении трех мощных транзисторных кристаллов в одном корпусе 87
5.1 Поперечные колебания в усилительном каскаде на многокристальном СВЧ LDMOS транзисторе 87
5.2 Результаты экспериментального измерения трехкристальных транзисторов при оптимальной нагрузке 88
5.3 Описание модели усилительного каскада на трехкристальном СВЧ LDMOS транзисторе 89
5.4 Модельное исследование эффектов неравномерной работы усилительного каскада на многокристальном СВЧ LDMOS транзисторе 93
5.5 Методика расчета холодных резонансов поперечных контуров в трехкристальном транзисторе 97
5.6 Оценка возможной коррекции параметров исследуемого транзистора с целью подавления поперечных колебаний 98
5.7 Измерение трехкристального СВЧ LDMOS транзистора на тепловизоре 100
5.8 Выводы 102
Список литературы 105
