Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики

Рубан Олег Альбертович. Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики: автореферат дис. ... кандидата Технических наук: 05.27.01 / Рубан Олег Альбертович;[Место защиты: ФГБУН Физико-технологический институт Российской академии наук], 2018
Автор
Рубан Олег Альбертович
Год
2018

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Усилительный каскад на мощном многокристальном широкополосном LDMOS транзисторе s-диапазона частот
99 000 UZS
Автор
Романовский Станислав Михайлович
Количество страниц
Год
2018
Исследование и разработка системы характеризации процессов формирования наноразмерных элементов интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Волоховский Александр Дмитриевич
Количество страниц
Год
2018
Электро-, термо- и фотоактивирующие процессы при прогнозировании и обеспечении требуемых энергочастотных и деградационных параметров светоизлучающих и СВЧ-генерирующих гетероструктур на основе твердых растворов (AlGaIn)N
99 000 UZS
Автор
Евсеенков Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Фундаментальные основы технологии фемтосекундной лазерной кристаллизации сегнетоэлектрических микроструктур для устройств микро- и оптоэлектроники и их нелинейно-оптическая диагностика
99 000 UZS
Автор
Елшин Андрей Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Механизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs
99 000 UZS
Автор
Сибирмовский Юрий Дмитриевич
Количество страниц
Год
2018
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3