Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)

Баранник Алексей Анатольевич. Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi) : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 : Новочеркасск, 2003 140 c. РГБ ОД, 61:04-5/51-4
Автор
Баранник Алексей Анатольевич
Год
2003

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO_2 и применение структур на их основе в функциональной электронике
99 000 UZS
Автор
Гурьянов Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2003
Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Копейкин Андрей Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
99 000 UZS
Автор
Малибашев Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
99 000 UZS
Автор
Патаридзе Зураб Гивиевич
Количество страниц
Год
2003
Слоистые структуры на основе бактериородопсина: получение, строение и применение для элементов устройств обработки информации
99 000 UZS
Автор
Адамов Григорий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2004
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3