Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe

Баженов Николай Леонидович. Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe : ил РГБ ОД 61:85-1/2204
Автор
Баженов Николай Леонидович
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
99 000 UZS
Автор
Баранов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
99 000 UZS
Автор
Ахмедов Давронали
Количество страниц
Год
Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
99 000 UZS
Автор
Буянов Алексей Вадимович
Количество страниц
Год
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
99 000 UZS
Автор
Бритов Александр Дмитриевич
Количество страниц
Год
Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
99 000 UZS
Автор
Вартанян Роберт Серобович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3