Введение
Глава 1. Литературный обзор.
1.1. Перспективы применения электрической фазовой памяти.
1.2. Принцип работы электрической фазовой памяти .
1.3. Материалы фазовой памяти.
1.3.1. Материалы, применяемые в устройствах фазовой памяти.
1.3.2. Структура материалов фазовой памяти.
1.3.3. Электрофизические свойства материалов фазовой памяти.
1.3.4. Термические свойства материалов фазовой памяти
1.3.5. Влияние легирования на свойства материалов фазовой памяти.
1.4. Термические методы анализа.
1.4.1. Термогравиметрия.
1.4.2. Дифференциальный термический анализ.
1.4.3. Дифференциальная сканирующая калориметрия.
1.5. Постановка задач исследования
1.6. Выводы по главе
Глава 2. Методики подготовки материалов, проведения измерений, анализа результатов
2.1. Методика синтеза материалов.
2.2. Методика получения тонких пленок материалов.
2.3. Методы исследования состава и структуры .
2.3.1. Исследования структуры материалов.
2.3.1.1. Использованные дифрактометры.
2.3.1.2. Обработка результатов РФА
2.3.2. Исследование химического состава.
2.3.3. Исследования морфологии поверхности тонких пленок.
2.4. Исследования термических свойств материалов.
2.4.1. Термогравиметр Netzsch.
2.4.2. Дифференциальный сканирующий калориметр DSC-50.
2.4.2.1. Калибровка калориметра DSC-50.
2.4.2.2. Методика подготовки образцов для ДСК измерений.
2.4.2.3. Методика проведения ДСК измерений.
2.4.2.4. Методика обработки экспериментальных ДСК данных.
2.5. Разработка методики оценки кинетических параметров.
2.5.1. Безмодельные методы.
2.5.2. Модельные методы.
2.5.3. Разработанная методика оценки кинетических параметров
2.6. Выводы по главе
Глава 3. Исследование термических свойств и структуры материалов системы Ge-Sbe и влияния легирования Bi, Ti, In .
3.1. Исследование состава материалов фазовой памяти
3.2. Исследование термических свойств материалов фазовой памяти.
3.2.1. Исследование термических свойств материалов системы Ge Sbe.
3.2.2. Исследование воспроизводимости и стабильности материалов системы Ge-Sbe и тонких пленок на их основе
3.2.2.1 Воспроизводимость термических свойств тонких пленок материалов системы Ge-Sbe
3.2.2.2 Термоциклирование тонких пленок материалов системы Ge-Sbe
3.2.2.3 Исследования термических свойств материалов, близких к эвтектическому в системе Gee
3.2.3 Влияние примесей на термические свойства Ge2Sb2Te5
3.2.3.1 Влияние Bi на термические свойства Ge2Sb2Te5
3.2.3.2 Влияние Ti на термические свойства Ge2Sb2Te5
3.2.3.3 Влияние In на термические свойства Ge2Sb2Te5
3.2.3.4 Анализ влияния примесей Bi, Ti, In на термические свойства Ge2Sb2Te5
3.3 Исследование структуры материалов методом рентгенофазового анализа.
3.3.1 Исследование структуры Ge2Sb2Te5
3.3.1.1 Исследование структуры синтезированного Ge2Sb2Te5
3.3.1.2 Исследование структуры тонких пленок Ge2Sb2Te5
3.3.2 Исследование структуры материалов системы Ge-Sbe-Bi
3.3.2.1 Исследование структуры синтезированных материалов системы Ge-Sbe-Bi
3.3.2.2 Исследование структуры тонких пленок материалов системы Ge-Sbe-Bi
3.3.3 Исследование структуры тонких пленок материалов системы Ge-Sbei 133
3.3.4 Исследование структуры тонких пленок материалов системы
Ge-Sbe-In
3.4 Выводы по главе
Глава 4. Исследование кинетики фазовых переходов тонких пленок материалов системы Ge-Sbe-(Bi, Ti, In) и прогнозирование параметров ячеек фазовой памяти .
4.1 Исследование кинетики фазовых переходов в тонких пленках Ge2Sb2Te5.
4.1.1 Нахождение кинетических параметров кристаллизации в тонких пленках Ge2Sb2Te5
4.1.2 Оценка времен обработки и хранения данных в устройствах фазовой памяти на основе тонких пленок Ge2Sb2Te5
4.2. Влияние примесей на кинетику фазовых переходов в тонких пленках Ge2Sb2Te5.
4.2.1. Кинетика кристаллизации тонких пленок системы Ge-Sbe-Bi 154
4.2.2. Кинетика кристаллизации тонких пленок системы Ge-Sbei 156
4.2.3. Кинетика кристаллизации тонких пленок системы Ge-Sbe-In 158
4.3 Механизм кристаллизации в тонких пленках на основе системы Ge-Sbe 161
4.4. Рекомендации по оптимизации технологии фазовой памяти. 164
4.5. Выводы по главе 167
Общие выводы 169
Список использованной литературы
