Введение
ГЛАВА 1 Основные методо и результаты исследования состояния фоновых примесей в полупроводниках 8
1.1 Основные прямые методы исследования состояния примесей в твердых телах. 9
1.2 Методы определения параметров электронных при месных уровней ...14
1.3 Некоторые результаты исследования состояния примесей в полупроводниках 18
1.4 Заключение к главе I.. 33
ГЛАВА 2. Теоретический анажз колебаний примесей и при месных пар в бинарных полупроводниках 36
2.1 Расчет матричных элементов функции Грина для определения локальных колебаний 39
2.2 Расчет частот локальных колебаний примесной пары и относительных интенсивностей поглощения 44
2.3 Заключение к главе 2 .54
ГЛАВА 3. Методика исследования образцов арсенида таллия; легированных кислородом и углеродом ...57
3.1 Приготовление образцов для измерений...57
3.2 Исследование образцов методами ИК-спектроскопии 59
3.3 Измерения образцов с помощью эффекта Холла...66
3.4 Заключение к главе 3 74
ГЛАВА 4. Исследование состояния кислорода в арсениде галлия 75
4.1 Электрофизические свойства арсенида галлия легированного кислородом .76
4.2 ИК-спектроскопия арсенида галлия, легированного кислородом . .91
4.3 Оце:іка констант встраивания различных состояний кислорода в арсенид галлия 96
4.4 Заключение к главе 4 ...101
5. Исследование состояний углерода в арсениде галлия ... 103
5.1 Электрофизические свойства арсенида галлия, легированных углеродом. .104
5.2 ИК-спектроскошя арсенида галлия,легированного углеродом. .106
5.3 Разработка модели дефектных состояний углерода в арсениде галлия ...ИЗ
5.4 Заключение к главе 5 ...125
Заключение 129
Литература
