Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
Кириенко, Виктор Владимирович. Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Кириенко Виктор Владимирович; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2011.- 152 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/82
