Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния

Дмитриев Валентин Александрович. Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 СПб., 2005 164 с. РГБ ОД, 61:05-1/900
Автор
Дмитриев Валентин Александрович
Год
2005
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Электрофизические свойства кремниевых структур с нетрадиционнами диэлектрическими слоями . 13
1 1. Структуры Si-Hkl. получение и электрофизические свойства. 15
1 1. 1. Введение. 15
1.1 .2. Способы получения структур Si-HkI-затвор . 17
1.1.3. Энергетическая диаграмма структур Si-Hkl. 19
1.1 .4. Строение и электрофизические свойства межфазовой границы кремний-НкІ. 23
1.1.5. Электрофизические объемные свойства пленок НЫ на кремнии. 26
1.2. Структуры SIMOX, Получение и электрофизические свойства. 28
1.3. Выводы к Главе 1. 32
Глава 2. Методика эксперимента. 33
2.1. Система электролит-диэлектрик-полупроводник и ее возможности для изучения процессов в структурах кремний-диэлектрик. 33
2.2. Методы исследования структур кремний-диэлектрик в системе электролит-диэлектрик-полупроводник . 39
2.2.1. Электрофизические методы исследования. 39
2.2.2. Статическая и динамическая деградация структур кремний-диэлектрик. 48
2.3. Определение энергетической диаграммы структур кремний-диэлектрик на основе метода полевых циклов в электролите. 50
2.4. Исследуемые образцы. 56
2.5. Выводы к Главе 2. 58
Глава 3. Электрофизические свойства структур Si- Si02) полученных по SIMOX-технологии . 59
3.1. Исходное зарядовое состояние SIMOX-структур. 59
3.2. Влияние БУФ-облучения на зарядовое состояние структур Si-Si02 66
3.3. Полевая стабильность структур Si-Si02, полученных по SIMOX технологии. 68
3.4. Роль маскирующего окисла в формировании зарядовых свойств SIMOX структур Si-Si02. 73
3.5. Энергетическое положение ЭАЦ, ответственных за положительный заряд в SIMOX структур Si-Si02. 74
3.6. Модель образования и природа ЭАЦ, ответственных за зарядовое состояния SIMOX-структур. 80
3.7. Выводы к Главе 3. 91
Глава 4. Электрофизические свойства структур кремний-диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью (Zr02j НГО2, А1203). 94
4.1. Использование системы ЭДП для исследования структур Si-Hkl. 94
4.2. Исходные зарядовые характеристики структур Si-Hkl . 96
4.3. Влияние электрических полей на зарядовую стабильность структур Si-Hkl. 101
4.4. Влияние БУФ-облучения на зарядовую стабильность структур Si-Hkl. 106
4.5. Энергетические диаграммы структур Si-Hkl. 114
4.6. Электрически активные центры в структурах Si-Hkl. 116
4.7. Выводы к главе 4. 128
Глава 5. Динамические полевые воздействия на структуры кремний-диэлектрик . 132
5.1. Влияние динамического полевого воздействия на зарядовые свойства структур Si-Si02. 132
5.2. Влияние динамического полевого воздействия на зарядовые свойства структур Si-Hkl. 136
Выводы к главе 5. 139
Основные выводы 140
Цитируемая литература. 147

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Андреев Вячеслав Эдуардович
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Астров Юрий Александрович
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Драгунов Валерий Павлович
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3