Введение
Глава 1. Техника и методика экспериментов 21
1.1 Компьютеризированная измерительная установка 21
1.2 Исследования кинетики ионной поляризации и деполяризации подзатворного окисла 24
1.3 Прецизионное определение нормированной квазиравновесной вольтфарадной характеристики МОП-структуры 28
1.4 Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника по квазиравновесным вольтфарадным характеристикам МОП-структур 42
1.5 Наблюдения кинетики генерации неосновных носителей заряда
и туннельной проводимости окисла в Si-МОП-структурах 56
Глава 2. Ионный транспорт в окисле Si-МОП-структур и эффекты электронно-ионного взаимодействия у гетерограницы Si/Si02 58
2.1 Состояние проблемы 58
2.2 Определение характеристик ионного транспорта в окисле по динамическим В АХ Si-МОП-структур 70
2.3 Проявления электронно-ионного взаимодействия у гетерограни- 4biSi/Sto2 82
Глава 3. Влияние ионной поляризации окисла на характеристики полевых транзисторов с изолированным затвором 116
3.1 Увеличение эффективной подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла 117
3.2 Самоорганизация характеристик полевых транзисторов с изолированным затвором посредством спонтанной ионной поляризации окисла .. 124
Глава 4. Формирование у поверхности полупроводника наномасштабного размерно-квантующего потенциального рельефа посредством ионной или электронно-инжекционной поляризации окисла МОП-структур 131
Глава 5. Изотермическая генерация неосновных носителей заряда у планарно-неоднороднои границы раздела Si/Si02 138
5.1 Базовые каналы генерации неосновных носителей заряда у гете-рограницы полупроводник-диэлектрик 138
5.2 Влияние электрической неоднородности гетерограницы Si02/Si на темп генерации неосновных носителей заряда 139
5.3 Особенности генерации неосновных носителей заряда через пограничные состояни 144
5.4 Исследования генерации неосновных носителей заряда в Si- МОП-структурах на ступенчатых сигналах напряжения 151
Глава 6. Туннельная проводимость тонких и сверхтонких окислов на поверхности Si 163
6.1 Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного окисла в кинетике генерации неосновных носителей заряда в МОП-структурах 167
6.2 Реконструкция зависимостей туннельного тока от падения напряжения на сверхтонком окисле по вольтамперным и вольтфарадным характеристикам структур n+-Si-Si02-n-Si 180
Заключение 201
Литература 206
