Введение
Глава 1. Методы формирования излучателей на основе полупроводниковых гетероструктур 12
1.1. Полупроводниковые соединения A111 Bv и особенности их строения... 14
1.2. Основные физико-химические свойства полупроводниковых материалов для инфракрасного диапазона излучения 19
1.3. Технология создания светодиодов и лазеров 20
1.3.1. Методы синтеза гетероструктур на основе полупроводниковых соединений AinBv 20
1.3.2. Постростовая обработка полупроводниковых структур А В 23
1.3.2.1. Травление как метод формирования полупроводниковых чипов 24
1.3.3. Метод фотолитографии 28
1.3.4. Создание омических контактов к гетероструктурам 29
1.4. Светодиоды для ИК-диапазона длин волн 33
1.5 Лазеры для инфракрасной области спектра 30
Глава II. Разработка технологии создания оптоэлектронных мезаструктур 46
2.1. Технология получения полупроводниковых структур АШВ 46
2.2. Разработка методов травления и создание травителей для постростовой обработки многослойных гетероструктур на основе AmBv 51
2.3. Создание омических контактов к структурам методом термического вакуумного напыления 56
2.3.1. Методика изготовления омических контактов 57
2.3.2. Методика измерения сопротивления многослойных омических контактов 59
Глава III. Разработка, создание и исследование светодиодов и лазеров на основе узкозонных соединений АШВУ для спектрального диапазонаї .6-2.5 мкм 62
3.1. Создание светодиодов для спектрального диапазона 1.6-2.5 мкм 62
3.2. Создание светодиодов для ИК-диапазона (2.3 мкм и 2.44 мкм) на основе твердых растворов GalnAsSb, выращенных из Pb-содержащих растворов-расплавов 70
3.3. Формирование светодиодных чипов различной геометрии и методы увеличения внешнего квантового выхода излучения 81
3.3.1. Исследование влияния геометрической формы меза-структуры на спектральные характеристики и диаграммы направленности излучения 85
3.4. Исследование влияния размера и формы омических контактов на электролюминесцентные характеристики светодиодов 94
3.5. Создание лазеров для ИК-диапазона (1.8-2.5) мкм на основе GalnAsSb/GaSb и исследование их свойств 107
3.5.1. Лазеры полоскового типа 107
3.5.2. Лазеры зарощенного типа 112
Глава IV. Разработка, создание и исследование светодиодов и лазеров на основе узкозонных соединений AmBv для спектрального диапазона 3.5мкм 120
4.1. Формирование оптоэлектронных структур из изопериодных InAs четырехкомпонентных твердых растворов методом химического травления 121
4.2. Создание и исследование светодиодов на основе твердых растворов InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) 122
4.3. Создание и исследование лазеров на основе твердых растворов InAsSb/InAsSbP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии 128
4.4. Создание и исследование лазеров на основе твердых растворов InGaAsSb/AlGaSbAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии 134
4.5. Создание и исследование инжекционного ИК лазера (Я = 2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb/InAs/CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии 140
Выводы к главе IV 147
Заключение 149
Список основных публикаций по теме диссертации 151
Список использованной литературы 155
