Введение
Глава 1 Особенности эпитаксиального роста, электронно-транспортные и оптические свойства, применение псевдоморфных InGaAs/AlGaAs/GaAs РНЕМТ гетероструктур в современных СВЧ транзисторах 18
1.1. Использование псевдоморфных наногетероструктур в
сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике 18
1.2. Конструкционные особенности и технологические режимы эпитаксиального роста РНЕМТ гетероструктур с односторонним и двусторонним 8-легированием 22
1.3. Двумерный электронный газ 25
1.4. Ограничения конструкции псевдоморфного канала 26
1.5. Особенности зонного профиля РНЕМТ гетероструктур 29
1.6. Управление профилем квантовой ямы при помощи цифровых сплавов и легирования примесью 30
1.7. Влияние неоднородного профиля состава квантовой ямы на характеристики СВЧ транзисторов 33
1.8. Выводы по первой главе 34
Глава 2 Технологическое оборудование для создания РНЕМТ гетероструктур с переменным профилем состава квантовой ямы и методы их исследования 35
2.1. Молекулярно - лучевая эпитаксия 36
2.1.1. Реализация технологии на установке молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур Riber Compact 21-Т 37
2.1.2. Физика процессов на поверхности при эпитаксии 53
2.1.3. Отработка технологических параметров и применяемые методики измерений и контроля 62
2.2. Методы исследования и анализа полученных гетероструктур 66
2.2.1. Измерение удельного сопротивления, подвижности и концентрации электронов из эффекта Холла 66
2.2.2. Рентгеновская дифрактометрия 75
2.2.3. Просвечивающая электронная микроскопия 80
2.2.4. Спектроскопия фотолюминесценции 82
2.3. Выводы по второй главе 83
Глава 3 Численное моделирование РНЕМТ гетероструктур 84
3.1. Моделирование зонного профиля 84
3.2. Расчет зонной структуры РНЕМТ гетероструктур с однородной квантовой ямой InxGai xAs для случаев одностороннего и двустороннего дельта-легирования кремнием 87
3.3. Расчет зонной структуры образцов с варизонной квантовой ямой 92
3.3.1. Образцы варизонных РНЕМТ гетероструктур с односторонним 8-легированием 92
3.3.2. Образцы варизонных РНЕМТ гетероструктур с двусторонним 8-легированием 94
3.4. Выводы по третьей главе 97
Глава 4 Экспериментальные исследования и анализ 98
4.1. Экспериментальные образцы: структура слоев и эпитаксиальный рост... 98
4.2. Структурная характеризация образцов методом просвечивающей электронной микроскопии 102
4.3. Анализ структурных характеристик РНЕМТ гетероструктур по данным дифракционного отражения 105
4.4. Подвижность и концентрация двумерного электронного газа в варизонных КЯ РНЕМТ гетероструктур с односторонним и двусторонним 8-легированием 108
4.5. Исследование спектров ФЛ РНЕМТ гетероструктур с варизонной КЯ 113
Выводы 115
Заключение 117
Список литературы 118
