Введение
Глава 1. Обзор литературы 10
1.1 Структура и физические свойства моносилицидов 3d переходных металлов 10
1.2 Электронный транспорт и магнетизм в моносилициде марганца 12
1.3 Магнитная фазовая В-Т диаграмма MnSi 21
1.4 Квантовые фазовые переходы в Mn1-xFexSi 24
1.5 Эффект Холла в MnSi и Mn1-xFexSi 30
Глава 2 Методика эксперимента 34
2.1 Подготовка объектов исследования 34
2.2 Установка для исследования гальваномагнитных свойств 38
2.3 Особенности измерения гальваномагнитных свойств в ячейке с вращением образца в магнитном поле 43
2.4 Методики для измерения магнитных свойств 47
2.5 Учет размагничивающего поля 48
Глава 3. Зарядовый транспорт и магнитная фазовая В-Т диаграмма MnSi 49
3.1 Удельное сопротивление моносилицида марганца 49
3.2 Магнитные свойства MnSi 52
3.3 Магнитосопротивление MnSi 56
3.4 Скейлинг магнитосопротивления и магнитная фазовая Н-Т диаграмма MnSi 60
3.5 Рассеяние носителей заряда в магнитоупорядоченных фазах MnSi. 66
3.6 Выводы по главе 74
Глава 4. Квантовое критическое поведение в Mn1-xFexSi 75
4.1 Магнитные свойства Mn1-xFexSi 75
4.2 Удельное сопротивление в ряду Mn1-xFexSi 84
4.3 Магнитосопротивление в Mn1-хFexSi 86
4.4 Параметры s-d обменной модели в Mn1-хFexSi 91
4.5 Магнитная фазовая Т-х диаграмма Mn1-хFexSi 94
4.6 Сценарий квантового критического поведения в Mn1-хFexSi 98
4.7 Влияние магнитного поля на фазу с промежуточным магнитным порядком в Mn1-xFexSi 102
4.8 Выводы по главе 110
Глава 5. Параметры носителей заряда и обменные взаимодействия в Mn1-хFexSi 111
5.1 Холловское сопротивление твердых растворов замещения Mn1-хFexSi. 111
5.2 Смена режимов аномального эффекта Холла в MnSi. 120
5.3 Нормальный и аномальный эффекты Холла в парамагнитной фазе Mn1-xFexSi 127
5.4 Природа квантовой критичности в Mn1-xFexSi 132
5.5 Выводы по главе 139
Заключение 140
Благодарности 142
Публикации автора по теме диссертации 143
Список цитированной литературы 149
