Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs

Пономарев, Дмитрий Сергеевич. Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Пономарев Дмитрий Сергеевич; [Место защиты: Моск. гос. техн. ун-т радиотехники, электроники и автоматики].- Москва, 2012.- 145 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/1173
Автор
Пономарев, Дмитрий Сергеевич
Год
2012

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Разработка и исследование технологических основ создания пленок полимерных нанокомпозитов с углеродными наноструктурами для устройств микроэлектронной сенсорики
99 000 UZS
Автор
Сюрик, Юлия Витальевна
Количество страниц
Год
2012
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоаморфных РНЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием
99 000 UZS
Автор
Климова Евгения Александровича
Количество страниц
Год
2012
Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро- и наномеханических устройств
99 000 UZS
Автор
Амиров, Ильдар Искандерович
Количество страниц
Год
2010
Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи
99 000 UZS
Автор
Беляев Илья Викторович
Количество страниц
Год
2010
Физико-технологические основы разработки теплофизических микросистем на основе периодических тепловых процессов
99 000 UZS
Автор
Бохов, Олег Сергеевич
Количество страниц
Год
2010
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3