Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)

Настовьяк, Алла Георгиевна. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Настовьяк Алла Георгиевна; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2010.- 114 с.: ил. РГБ ОД, 61 11-1/233
Автор
Настовьяк, Алла Георгиевна
Год
2010

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
99 000 UZS
Автор
Афанасьев Александр Михайлович
Количество страниц
Год
2021
Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
99 000 UZS
Автор
Салихов, Хафиз Миргазямович
Количество страниц
Год
2010
Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
99 000 UZS
Автор
Васев Андрей Васильевич
Количество страниц
Год
2009
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов
99 000 UZS
Автор
Сизов Виктор Сергеевич
Количество страниц
Год
2010
Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
99 000 UZS
Автор
Грачева Ирина Евгеньевна
Количество страниц
Год
2009
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3