Введение
ГЛАВА 1 Фотоприемники ультрафиолетового диапазона 13
1.1 Особенности полупроводниковых УФ фотодиодов 13
1.2 Материалы для изготовления УФ фотоприемников
1.2.1 Фотоприёмники на основе GaAs 15
1.2.2 Фотоприемники на основе GaP 17
1.2.3 Фотоприемники на основе нитридов 18
1.2.4 Фотоприемники на основе SiC 19
1.2.5 Фотоприемники на основе алмаза 22
1.2.6 Фотоприемники на основе полупроводников типаАпВУІ 24
1.3 Кремниевые УФ фотоприемники 27
1.3.1 Фотодиоды на основе инверсионного слоя 27
1.3.2 Фотодиоды с барьером Шоттки 34
1.3.3 Фотодиоды с p-n-переходом, сформированным акцепторами 35
1.3.4 Фотодиоды с p-n-переходом, сформированным донорами 39
1.3.5 Система люминофор - кремниевый фотоприемник 45
1.4 Кремниевые УФ фотоприемники с селективной чувствительностью 47
1.4.1 Фотодиоды с тонким эпитаксиальным слоем 47
1.4.2 Фотодиоды с тормозящим полем и УФ фильтром 52
1.4.3 Использование системы "кремний на изоляторе" 58
1.4.4 Трехдиапазонный УФ фотоприемник
1.6 Выводы 62
ГЛАВА 2 Технология получения кремниевого уф фотодиода 63
2.1 Выбор примеси для создания мелкозалегающих р-п-переходов 63
2.2 Разработка техпроцессов для создания мелких / -и-переходов 66
2.3 Исследование ионно-легированных профилей мышьяка 70
2.3.1 Анодное окисление кремния 70
2.3.2 Определение концентрации и коэффициента термодиффузии 73
2.4 Технология изготовления УФ фотодиода 81
2.5 Выводы 85
ГЛАВА 3 Методика исследования оптикоэлектрических свойств фотодиодов 86
3.1 Относительная спектральная характеристика 86
3.2 Абсолютная токовая чувствительность
3.2.1 Измерение ультрафиолетовой чувствительности 92
3.2.2 Измерение длинноволновой чувствительности
3.3 Исследование спектрального состава источников излучения 97
3.4 Установка для исследования вольтамперных характеристик 98
3.5 Выводы 100
ГЛАВА 4 Способы управления спектральной характеристикой УФ фотодиодов 101
4.1 Дозовая зависимость УФ чувствительности 101
4.2 Влияние легирования через окисную плёнку 107
4.3 Сравнение ионно-легированных фотодиодов с инверсионным и диффузионным 109
4.4 Влияние уровня легирования подложки на спектральную чувствительность
4.5 Влияние неоднородно легированной подложки 116
4.6 Влияние встроенного тормозящего поля 118
4.7 Использование УФ фильтров 131
4.8 Основные характеристики разработанных фотоприемников
4.8.1 Широкодиапазонный УФ фотодиод 138
4.8.2 Селективный УФ фотодиод 144
Заключение 150
Список использованной литературы 1
