Введение
Глава 1. Получение и оптические свойства структур с квантовыми ямами и квантовыми точками типа I и типа II. (Обзор литературы).
1.1. Получение и оптические свойства структур с InGaAs/GaAs квантовыми точками 9
1.1.1. Методы получения структур с квантовыми точками 9
1.1.2. Рост структур с квантовыми точками в системе InGaAs/GaAs 14
1.1.3. Оптические свойства структур с InGaAs/GaAs квантовыми точками 23
1.1.4. Получение длинноволнового излучения в гетероструктурах с InGaAs/GaAs КТ. 28
1.2. Получение и оптические свойства структур с GaSb/GaAs квантовыми точками 37
1.3 Получение и свойства гетероструктур с квантовыми точками в системе SiGe 44
1.3.1. Электронные свойства структур на основе SiGe 44
1.3.2. Особенности роста SiGe гетероструктур с КТ 53
1.3.3 Оптические свойства SiGe гетероструктур с КТ 58
1.3.3.1. Низкотемпературная ФЛкристаллов Si 58
1.3.3.2. ФЛ в тонких SiGe КЯ и сверхрешетках 63
1.3.3.3. Прямые и непрямые переходы в SiGe квантовых точках 66
1.3.3.4. Влияние легирования и сверхлшейныйрост ФЛот Ge КТ. 72
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методики 76
2.1. Рост гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии 76
2.2. Экспериментальные методы исследований гетероструктур 79
Глава 3. Квантовые точки типа I. Структурные и оптические свойства InAs/GaAs КТ 80
3.1. Управление параметрами массивов КТ в режиме роста Странски-Крастанова 80
3.1.1. Влияние температуры роста на параметры массивов квантовых точек 81
3.1.2. Влияние понижения температуры после осаждения InAs на параметры массивов КТ 86
Выводы 89
3.2. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность ФЛ структур с квантовыми точками 90
3.2.1. Влияние интенсивности накачки на ФЛ структур с КТ, содержащими дефекты. 92
3.2.2. Процедура дефектоубирания и влияние на оптические свойства структур с КТ . 96
3.2.3. Оценка качества структур с КТ оптическими и температурными методами 101
Выводы 104
3.3. Структуры с КТ на основе GaAs для диапазона 1.55 мкм 105
Выводы 117
Глава 4. Квантовые точки типа II. Сверхтонкие включения Ge в матрице Si 118
Выводы 130
Заключение 131
Список использованной литературы 134
