Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы 11
1.1. Кремний как материал оптоэлектроники 11
1.2. Свойства квантовых точек 12
1.3. Пути улучшения светоизлучающих свойств кремния 14
1.4. Свойства аморфного кремния 18
1.5. Система нанокристаллов кремния в матрице a-Si, полученная без применения ионного облучения 23
1.6. Система нанокристаллов кремния в матрице a-Si, полученная с помощью ионного облучения 25
1.7. Кинетика накопления дефектов при ионном облучении 29
1.8. Модели аморфизации 37
1.9. Формулировка задач исследований 44
ГЛАВА 2. Исследование закономерностей влияния условий ионного облучения на свойства системы я-Si/nc-Si при дозах, близких к дозе аморфизации (область «малых» доз) 46
2.1. Методика эксперимента 46
2.2. Фотолюминесцентные свойства системы a-Si/nc-Si, полученной путем облучения Si ионами Аг+ и Ne+ 49
2.3. Немонотонность дозовой зависимости концентрации VV-центров 53
2.4. Оптические свойства я-Si/nc-Si и a-Si, полученных ионным обучением в области «малых» доз. Модель люминесценции 57
2.5. Выводы 65
ГЛАВА 3. Компьютерный расчет (моделирование) процесса эволюции наноструктуры Si при ионном облучении в области «малых» доз 66
3.1. Введение 66
3.2. Алгоритм расчета кинетики формирования нанокомпозитной системы «-Si:nc-Si 66
3.2. Результаты моделирования и их обсуждение 71
3.3. Выводы 77
ГЛАВА 4. «Механическая» модель формирования нанокристаллов кремния в области «больших» доз 78
4.1. Введение 78
4.2. Люминесцентные свойства и структура кремния при «больших» дозах 79
4.3. Формулировка модели и теоретические оценки 82
4.4. Выводы 95
Общие выводы 96
Заключение 97
Благодарности 98
Список литературы
