Введение
Глава I. Медленные релаксационные процессы в сегне-тоэлектриках (Обзор литературы) 14
1.1. Диэлектрическое старение, 14
1.2. Свободные носители в сегнетоелектриках 24
1.3. Поверхностные слои и доменная структура сегнетоелектрика ЗІ
1.4. Некоторые фотосегнетоэлектрические явления, наблюдаемые в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа 41
Глава 2. Методика экспериментальных исследований 46
2.1. Объект исследования. Некоторые физические свойства So J J 46
2.2. Экспериментальные установки 53
2.3. Отбор и подготовка кристаллов для исследования 62
Глава 3. Медленные релаксационные процессы и экранирование в сегнегоэлектрике-полупровод -нике 5 S С / . 65
3.1. Временное изменение макроскопических характеристик в темноте 65
3.2. Фотостимулирование процесса старения 77
3.3. Темновая деформация в процессе старения и фотодеформация 89
3.4. Механизм медленных релаксаций в
3.5. Дилатометрическое исследование собственного сегнетоэластика ZHC-МДЭ "4
Глава 4. Возможности практического использования исзддушого явления
4.1. Пути повышения временной стабильности и устойчивости к внешним воздействиям пара метров пьезодатчиков на основе
4.2, Времязадающее устройство на сегнетоэлектрическом элементе. П9
Заключение 124
Литература
