Введение
Глава 1. Классификация эффектов многократных сбоев, особенности проявления и регистрации при воздействии отдельных ядерных частиц
1.1. Классификация эффектов многократных сбоев, особенности и тенденции проявления
1.2. Методические и технические средства экспериментальной регистрации многократных сбоев
1.3. Комплексный анализ проблемной ситуации и постановка задачи исследования и оценки многократных сбоев в статических ОЗУ
1.4. Выводы по разделу 33
Глава 2. Методики оценки кратности сбоев в кмоп статических ОЗУ
2.1. Инженерная модель многократных сбоев для задач предварительной оценки чувствительности
2.2. Методика экспериментальных исследований многократных сбоев в физически соседних ячейках
2.3. Общая методика испытаний и экспериментальных исследований физических многократных сбоев в микросхемах статических ОЗУ при воздействии отдельных ядерных частиц
2.4. Методики экспериментальных исследований многократных сбоев в ячейках, относящихся к одному логическому блоку
2.5. Выводы по разделу 60
Глава 3. Развитие методических и технических средств для оценки чувствительности статических озу к эффектам многократных сбоев при воздействии отдельных ядерных частиц
3.1. Базовый алгоритм определения критического режима для выявления многократных сбоев
3.2. Аппаратно-программный комплекс для регистрации эффектов многократных сбоев
3.3. Выводы по разделу 86
Глава 4. Методы повышения стойкости статических ОЗУ к эффектам многократных сбоев при воздействии отдельных ядерных частиц на этапе проектирования
4.1. Результаты экспериментальных исследований 88
4.2. Влияние электрических режимов и условий работы микросхем статических ОЗУ на чувствительность к эффекту многократных сбоев
4.3. Рекомендаций по повышению стойкости микросхем статических ОЗУ к эффектам многократных сбоев
4.4. Выводы по разделу 107
Заключение 109
Список использованных источников
