Введение
ГЛАВА 1 Анализ конструкций устройств микроэлектроники и микросистемной техники, изготовленных с применением объемных микроструктур, методов формирования объемных микроструктур и их характеристик, масок для их формирования, технологий изготовления типовых устройств на их основе 10
1.1 Анализ конструкций устройств микроэлектроники и микросистемной техники, изготовленных с применением объемных микроструктур 10
1.2 Анализ методов изготовления объемных микроструктур, их характеристик и масок, применяемых для их формирования 16
1.3 Классификация объемных микроструктур 19
1.4 Анализ технологий изготовления и характеристик типовых устройств на основе объемных микроструктур 23
1.5 Конструктивные и физико-технологические ограничения при формировании объемных микроструктур силовых транзисторов с вертикальным затвором (СТВЗ), микроструктурных многослойных экранно-вакуумных изоляций космических аппаратов (КА) и SIW-фильтров 30
Выводы по главе 1 31
ГЛАВА 2 Объекты и методы исследования объемных микроструктур силовых транзисторов с вертикальным затвором, микроструктурных многослойных экранно-вакуумных изоляций ка, сквозных металлизированных микроотверстий siw-фильтров и масок в технологии изготовления объемных микроструктур 33
2.1 Объекты исследования 33
2.1.1 Объекты исследования объемных микроструктур в кремнии силовых транзисторов с вертикальным затвором 33
2.1.2 Объекты исследования объемных микроструктур в кремнии и полиимиде микроструктурных многослойных экранно-вакуумных изоляций КА 36
2.1.3 Объекты исследования сквозных металлизированных микроотверстий SIW-фильтров 39 2.1.4 Объекты исследования маски в технологии изготовления объемных микроструктур 40
2.2 Методы исследования 42
Выводы по главе 2... 44
ГЛАВА 3 Результаты исследования моделей и методов формирования объемных микроструктур 45
3.1 Моделирование конструкции силового транзистора с вертикальным затвором 45
3.2 Результаты исследования формирования объемных микроструктур в кремнии силовых транзисторов с вертикальным затвором 53
3.3 Результаты исследования формирования объемных микроструктур в кремнии и полиимиде микроструктурных многослойных экранно-вакуумных изоляций КА 64
3.4 Результаты исследования формирования сквозных металлизированных микроотверстий SIW-фильтров 72
3.5 Результаты исследования метода формирования маски в технологии изготовления объемных микроструктур 79
Выводы по главе 3 87
ГЛАВА 4 Устройства микроэлектроники и микросистемной техники, изготовленные по технологии на основе объемных микроструктур 90
4.1 Силовой транзистор с вертикальным затвором 90
4.2 Микроструктурная многослойная экранно-вакуумная изоляция КА 100
4.3 SIW-фильтр 112
4.4 Показатели технического уровня формирования объемных микроструктур и разработанных на их основе устройств МЭ и МСТ 115
4.5 Влияние технологических факторов на параметры устройств МЭ и МСТ 120
Выводы по главе 4 121
Заключение 122
Сокращения и условные обозначения 124
Список литературы
