Введение
Глава 1. Формирование и исследование SiGe/Si микро- и нанотрубок, спиралей 17
1.1. Введение , 17
1.2. Метод формирования микро- и нанотрубок из напряженных SiGe/Si пленок 18
1.3. Исследование процессов взаимодействия кремния с водными растворами аммиака 36
1.4. Формирование и исследование свойств SiGe/Si микроспиралей 47
1.5. Формирование SiGe/Si нанотрубок 56
1.6. Выводы 63
Глава 2. Методы управляемого сворачивания напряженных пленок SiGe/Si в сложные трехмерные объекты и их сборки в конструкции 65
2.1. Введение 65
2.2. Разработка метода направленного сворачивания напряженных SiGe/Si пленок, основанного на анизотропии травления кремния 68
2.2.1. Анизотропия латерального травления жертвенной подложки Si (ПО)... 71
2.2.2. Применение метода направленного сворачивания напряженных SiGe/Si пленок для создания полых игл 79
2.3. Разработка метода сборки SiGe/Si микрооболочек в сложные трехмерные конструкции 91
2.4. Исследование возможностей формирования упорядоченных массивов спиралей 99
2.5. Применение массивов SiGe/Si вертикальных колец в нанопечатной литографии 101
2.6. Выводы 107
Глава 3. Формирование и исследование структур на основе гибридных и композитных пленок 109
3.1. Введение 109
3.2. Расчет диаметров трубок на основе свободных многослойных пленок с внутренними механическими напряжениями и 110
3.2.1. Анализ вклада поперечных деформаций в продольные напряжения при изгибе однородной тонкой пленки 111
3.2.2. Изучение зависимости диаметра гибридных оболочек от внутренних напряжений в многослойной пленке и способа ее закрепления на подложке 119
3.2.3. Способ определения упругих напряжений и модуля Юнга в аморфных пленках металлов и диэлектриков 128
3.3. Формирование металл - полупроводниковых SiGe/Si/Cr консольных балок, желобов и колец. Исследование зависимостей радиуса изгиба от ширины балок и внутренних напряжений в пленке 129
3.4. Формирование и исследование оболочек из напряженных пленок металл-диэлектрик-полупроводник S і Ge/S i/S і 3N4/Cr 141
3.5. Метод формирования нанокомпозитных пленок с запечатанными массивами трехмерных объектов 154
3.6. Исследование процессов релаксации фотопроводимости в SiGe/Si - тонкопленочных мембранах и запечатанных в полимерную матрицу массивах трехмерных объектов 159
3.6.1 Введение 159
3.6.2. Методика приготовления образцов и принцип работы измерительной СВЧ - установки 161
3.6.3. Анализ экспериментальных данных по измерению релаксации фотопроводимости в SiGe/Si - тонкопленочных мембранах и запечатанных в полимерную матрицу массивах трехмерных объектов 163
3.7. Разработка методов исследование SitVGeOa мембран и трубок со встроенными Ge - нанокластерами 170
3.8. Выводы 179
Выводы 182
Заключение 185
Литература 188
