Введение
1 Обзор литературы. 13
1.1 Фундаментальные ограничения характеристик кремниевых силовых полупроводниковых приборов. 13
1.2 Механизмы рассеяния, определяющие транспорт носителей зарядов в полупроводниках. 16
1.3 Особенности температурной зависимости процесса включения тиристорной структуры на основе карбида кремния . 22
1.4 Критический заряд включения р-п-р-п структур. 26
1.5 Выводы по обзору литературы и постановка задачи. 31
2 Учет электронно-дырочного рассеяния в карбиде кремния . 32
2.1 Электронно-дырочное рассеяние в материалах полупроводниковой электроники. 32
2.2 Описание методики определения константы электронно-дырочного рассеяния . 41
2.3 Процедура определения константы электронно-дырочного рассеяния. 48
2.4 Численный эксперимент. 50
2.5 Выводы. 51
3 Процесс включения тиристорной структуры на основе карбида кремния . 54
3.1 Обсуждение опубликованных экспериментальных данных. 54
3.2 Аналитическая модель для расчета постоянной нарастания тока тг при включении тиристора . 62
3.3 Температурная зависимость тг. 67
3.4 Зависимость тг от уровня инжекции. 75
3.5 Обсуждение полученных результатов и выводы. 87
4 Модель критического заряда включения для тиристоров на основе карбида кремния . 90
4.1 Обсуждение опубликованных экспериментальных данных. 90
4.2 Механизм формирования ( в тиристорных структурах на основе карбида кремния . 95
4.3 Аналитическая модель Q^, в тиристорах на основе карбида кремния. 98
4.4 Численный эксперимент и сопоставление результатов расчета с аналитической моделью. 104
4.5 Учет дополнительных факторов, влияющих на величину критического заряда включения. 107
4.6 Обсуждение полученных результатов и выводы. 114
Заключение. 116
Литература. 119
