Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники

Казаров Бениамин Агопович. Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники : диссертация... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Махачкала, 2007 155 с. РГБ ОД, 61:07-1/850
Автор
Казаров Бениамин Агопович
Год
2007
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1 Краткий обзор литературы и основные сведения о кинетических свойствах кристаллов и твердых растворов на основе карбида кремния 11
1.1 Особенности кинетических свойств кристаллов: диэлектрики-сегнетоэлектрики 11
1.2 Твердые растворы на основе карбида кремния. Тепловые и электрические свойства 16
1.3 Общий подход и методы расчета кинетических свойств (характеристик) реальных кристаллов и твердых растворов на основе карбида кремния 23
1.4 Структура и характеристики исследуемых кристаллов, монокристаллических слоев твердых растворов и керамики SiC-AIN 28
ГЛАВА 2 Линейная реакция системы на внешнее возмущение. теплопроводность. уравнение бете-солпитера 31
2.1 Микроскопическая модель фазового перехода 34
2.2. Условия равновесия и уравнение состояния кристалла 36
2.3 Линейная реакция системы на внешнее возмущение. Двухвременные функции Грина 39
2.4. Кинетические характеристики системы: проводимость, диффузия, теплопроводность 41
2.5 Неупорядоченная решетка с примесями и дефектами 44
2.6 Однофононная функция Грина кристалла 46
2.7 Динамическая восприимчивость. Массовый оператор и функция релаксации системы (функция релаксации Кубо) 48
2.8 Мягкая мода, центральный пик, структурный фазовый переход 51
2.9 Температура структурного фазового перехода 55
2.10 Обобщенное транспортное уравнение типа Бете-Солпитера 58
2.10.1 Нелокальное уравнение теплопроводности 58
2.10.2 Транспортное уравнение типа Бете-Солпитера 62
2.10.3 Транспортное время релаксации 70
2.11 Решение обобщенного транспортного уравнения с учетом вклада от сингулярной области частот фононов 72
2.12 Скорость релаксации фононов вблизи температуры фазового перехода тс. Центральный пик 79
2.13 Квазиупругое и неупругое рассеяние тепловых фононов 84
2.14 Неподвижные точки масштабных преобразований и критические показатели 91
ГЛАВА 3 Аномальное температурное поведение теплового сопротивления сегнетоэлектриков. флуктуационный эффект биений и роль дефектов 95
3.1 Механизмы рассеяния фононов в кристаллах с дефектами и фазовыми переходами 96
3.2 Флуктуационный эффект биений в кристаллах типа KDP (дигидро-фосфат калия КН2РО4) и Hg2Cl2. Сравнение с экспериментом 107
ГЛАВА 4. Моделирование тепловых и электрических свойств твердых растворов и керамики на основе карбида кремния 114
4.1 Модели механизмов проводимости твердых растворов на основе карбида кремния 114
4.2 Модель эффекта усиления гигантской диэлектрической проницаемости в керамике на основе карбида кремния 117
Выводы 128
Литература 130
Приложения 144

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Лясковский Владимир Леонидович
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Бойко Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Мягков Дмитрий Вадимович
Количество страниц
Год
2007
99 000 UZS
Автор
Номоконов Дмитрий Владиленович
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3