Введение
1 Автолокализованный экситон на поверхности кремниевого нано кристалла 14
1.1 Автолокализованный экситон 14
1.2 Экспериментальные свидетельства поверхностного экситона, автолокализованного на связи Si-O 17
1.3 Излучательные и безызлучательные переходы из поверхност ного автолокализованного состояния на связи Si-O 21
2 Энергетическая релаксация горячих экситонов в нанокристаллах кремния с участием состояния автолокализованного экситона 30
2.1 Высоковозбужденные носители заряда в нанокристаллах крем ния 30
2.2 Энергетическая релаксация 31
3 Моделирование электронных свойств и оптических переходов в нанокристаллах кремния и германия методом сильной связи 39
3.1 Метод сильной связи 39
3.2 Деформация нанокристаллов кремния и германия за счет огра ниченного размера 42
3.3 Состояния электрона в деформированном нанокристалле 43
3.4 Влияние деформации на бесфононные оптические переходы в Si NC 51
4 Силицен. Энергетическая структура и эффективный гамильтониан
4.1 Сравнение с графеном. Краткий обзор основных эксперимен тальных работ 55
4.2 Метод сильной связи для силицена 56
4.3 Эффективный гамильтониан 61
4.4 Электрическое поле и магнитное поля, направленные перпен дикулярно плоскости силицена 65
4.5 Орбитальное движение в магнитном поле, перпендикулярном поверхности силицена 66
Заключение 68
Список литературы
