Введение
ГЛАВА 1. Литературный обзор.
1.1. Гетероструктуры на основе соединений АП1Вv 7
1.1.1. Понятие о гетероструктурах. Модель гетероперехода . 8
1.1.2. Оптические свойства гетеропереходов. 9
1.1.3. Низкоразмерные гетероструктуры. 11
1.1.4. Эффект размерного квантования. 13
1.1.5. Приборы, основанные на использовании квантоворазмерных эффектов. 20
1.2. Получение гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии. 24
1.2.1. Метод МОС-гидридной эпитаксии. 24
1.2.2. Оборудование МОС-гидридной эпитаксии. 24
1.2.3. Исходные компоненты для МОС-гидридной эпитаксии. 26
1.2.4. Технологические параметры МОС-гидридной эпитаксии. 28
1.2.5. Основные проблемы технологии МОС-гидридной эпитаксии . 31
1.3. Факторы, влияющие на распределение основных и легирующих компонентов в гетероструктурах на основе соединений AmBv, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии. 34
1.3.1. Диффузия основных и примесных компонентов в процессе выращивания гетероструктур. 35
1.3.2. Сегрегационные явления при формировании низкоразмерных гетероструктур. 37
1.3.3. Влияние напряжений несоответствия на вхождение компонентов в растущие эпитаксиальные слои. 42
ГЛАВА 2. Получение и исследование низкоразмерных гетеро-структур InGaAs/(Al)GaAs .
2.1. Объекты исследований. 50
2.2. Установка для получения эпитаксиальных гетероструктур. 52
2.3. Измерительное оборудование. 56
ГЛАВА 3. Оптимизация профиля легирования низкоразмерных гетероструктур ingaas/(al)gaas для лазерных диодов .
3.1. Зависимость характеристик лазерного диода от параметров эпитаксиальной гете-роструктуры. 62
3.2. Моделирование профилей распределения цинка в лазерной гетероструктуре InGaAs/(AI)GaAs . 67
3.2.1. Расчетная модель диффузии цинка в гетероструктуре InGaAs/(Al)GaAs. 67
3.2.2. Обсуждение результатов расчета и краткие выводы. 72
ГЛАВА 4. Разработка расчетной модели для моделирования концентрационных профилей индия в квантоворазмерных гетероструктур ах INGAAS/(AI)GAAS .
4.1. Экспериментальное исследование профилей распределения индия в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. 79
4.2. Разработка расчетной модели для описания сегрегации индия при формировании низкоразмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs . 81
4.2.1. Основные положения и допущения расчетной модели. 82
4.2.2. Описание расчетной модели. 84
4.2.2.1. Расчетная модель для учета влияния специфики физико-химического взаимодействия в системе In-Ga-As на сегрегацию индия. 85
4.2.2.1.1. Вариант без учета изменения скорости роста от состава эпитаксиального слоя. 85
4.2.2.1.2. Вариант с учетом изменения скорости роста от состава эпитаксиального слоя. 90
4.2.2.2. Расчетная модель для оценки влияния упругих напряжений на концентраци онные профили индия. 92
4.3. Результаты моделирования концентрационных профилей индия в гетерострукту-рах InGaAs/(Al)GaAs и их обсуждение. 97
Выводы 116
Список литературы
